钝化技术

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钙钛矿-硅串联太阳能电池的最新进展来源:孜然实验室 发布时间:2020-03-30 16:38:11

钙钛矿技术的进一步发展提供了具有明显技术突破和科学见解的新通用方法。《科学》杂志一篇新发表的论文的通讯作者朱凯说。朱凯是NREL化学与纳米科学中心的资深科学家。 钙钛矿成分本身的效率为20.7%,这是
化合物,其名称源自于同名矿物钙钛矿。钙钛矿太阳能电池是由多种元素组合而成的,并已成为发展最快的太阳能技术。 朱凯,世宗大学的Dong Hoe Kim和韩国科学技术高等研究院的Byungha Shin

中科院在钙钛矿电池领域取得重要进展来源:浙江政务服务网 发布时间:2020-03-29 14:22:10

的大面积制备技术还不成熟,从实验室规模小面积器件向工业化大面积组件的过渡存在一定挑战。针对这两方面问题,中科院宁波材料所葛子义研究员团队开展了一系列前瞻性研究。 在稳定性提高方面,3D/2D共混结构
Lett.,2020, 20, 1240-1251。 为了进一步解决器件中载流子传输层存在的稳定性问题,团队设计合成了一种小分子界面材料MSAPBS用于SnO2界面缺陷钝化。通过与美国西北大学Tobin

河北大学新思路降低太阳能电池制造成本!!来源:科技日报 发布时间:2020-03-19 09:30:38

日前从河北大学获悉,该校物理学院光伏技术课题组青年教师陈剑辉博士等人经过努力探索,克服高温和真空重装备的技术障碍,不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向,给未来进一步降低硅太阳电池制造成本提供了科学

河北大学:多晶硅电池初步实现18.8%的电池效率来源:科学网 发布时间:2020-03-14 11:48:03

3月12日从河北大学获悉,该校物理学院光伏技术课题组陈剑辉等人经过努力探索,不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向,为太阳电池提供新的低成本技术路线,克服高温和真空重装备的技术障碍,给未来进一步降低

全球首台TOPCon技术ALD设备量产来源:世纪新能源网 发布时间:2020-03-14 11:26:47

于硅片尺寸,P型背面钝化与N型电池正背面钝化技术。 基于Topcon电池结构,原有PERC线升级TOPCon路线,仅需新增一台祝融平台与一台对应的清洗机,以及一台硼扩(或者通过改造原PERC产线

全球首台适用于TOPCon技术的ALD设备正式进入量产阶段来源:微导纳米科技 发布时间:2020-03-13 19:21:54

,P型背面钝化与N型电池正背面钝化技术。 基于Topcon电池结构,原有PERC线升级TOPCon路线,仅需新增一台祝融平台与一台对应的清洗机,以及一台硼扩(或者通过改造原PERC产线的磷扩散机台

激光设备在光伏生产中的应用来源:元禄激光 发布时间:2020-03-12 09:27:10

。 电池边缘钝化处理 采用具有高能量和高功率的激光器可以快速钝化电池片边缘并防止过多的功率损耗。有了激光成型的凹槽,太阳能电池漏电流造成的能量损失大大降低,从传统化学蚀刻工艺损失的10-15%降低到激光
技术的2-3%损失。 排列划线 用激光排列硅片是太阳能电池自动串焊常见的在线工艺。以这种方式连接太阳能电池降低了存储成本,让每块组件的电池串排列更整齐、紧凑。 切割划片 用激光来划片切割硅片是

世界新纪录 阿特斯N型多晶电池转换效率突破23.81%!来源:pv-magazine 发布时间:2020-03-09 08:52:05

分别为22.80%和22.28%)。 值得注意的是,此次阿特斯创下转换效率新纪录的电池是基于铸锭单晶或是类单晶的。157mmx157mm(面积246.44cm2)N型P5硅片和PASCon(钝化接触) 技术,共同使阿特斯创造出23.81%的新的多晶电池转换效率世界纪录。

光伏印刷设备:印刷氧化铝技术在黑硅PERC多晶太阳电池中的应用来源:太阳能杂志 发布时间:2020-03-05 14:47:35

钝化制备的黑硅PERC 多晶太阳电池,WT-2000 测得其少子寿命达到33 s;开路电压提升了15.2 mV,短路电流提高了0.372 A,效率达到20.06%。 01实验准备及制备流程
。氧化铝分子间主要由稳定剂的空间位阻进行分散与支撑,使用Despatch 烧结炉预烧结,氧化铝分子开始聚集,经过860 ℃峰值温度烧结后形成较为致密的钝化层,如图3 所示。钝化层与硅接触部分形成正

光伏行业深度报告:2020是N型元年,新一轮光伏印刷设备技术革命在这里开始来源:未来智库 发布时间:2020-03-05 14:24:13

多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构的应用,两者形成接触钝化结构,可以大幅提升 N 型电池片的 VOC 和转换效率。 另外根据《中来股份 N 型单晶双面 TopCon 技术与产业
先进性介绍》,TopCon 电池片具备以下技术特点: 1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术 通过离子注入进行掺杂,可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布,避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及