钝化层

(RIE)工艺，电池平均转换效率比过去提升了0.5%，最高效率达到17.90%。 黄河光伏的背钝化工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在硅片背面形成氧化铝膜层

确认不发年终奖但对CEO下课话题只字未提；有人事变动的：NatcoreTechnology任命新顾问委员会负责人，杜邦宣布领导层变动；更多的还是逆势扩张的：Envision Solar与Horizon
效率提高到2.0%。背面钝化，在太阳能电池背面填充游离原子键，同时减少总是存在于电池上部区域的缺陷的数目的工艺。它是能够生产长期、高性能硅太阳能电池的关键。外延生长，一项硅片生产的新技术，硅衬底可

的母线电极由2010年的两根增加到了三根，从而减少了电损失。单元背面与2010年一样，继续采用了在硅晶元和背面电极之间形成钝化层以实现局部接触的PERC构造。 　　此外，德国Q-Cells公司展示了

%，多晶高效电池的研发采用RIE工艺，电池平均转换效率比过去提升了0.5%，最高效率达到17.90%。氧化铝背钝化工艺是采用ALD（原子层沉积）或PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺在硅片背面形成
氧化铝膜层，然后再在该膜的基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用激光开孔工艺，结合背钝化铝浆和相匹配的烧结工艺实现单晶电池转换效率的提升。多晶硅高效电池的研发主要攻关RIE电池技术。RIE

电池和晶硅电池基于硅片不同，薄膜电池是基于玻璃基板。这就从根本上决定了生产材料的成本比晶硅电池要更低。它被称为第二代太阳能电池。采用化学气相沉积法在玻璃基板上生成一层半导体薄膜，产生光电效应。根据
新材料和结构的太阳能电池的统称。已经提出的第三代太阳电池主要有叠层太阳电池、多带隙太阳电池和热载流子太阳电池等。二、光伏技术发展战略目标和产业技术路线图晶硅电池发展的趋势是低成本高效率，这是光伏技术的

。排名第二的是centrotherm photovoltaics，其centaurus技术升级套件十分显著，其晶体硅太阳能电池结合了选择发射极和背面绝缘层钝化技术。然而，centrotherm

、可靠性问题和腐蚀。IMEC将Cu接触引入太阳能电池的方法是基于在介质钝化层中综合激光烧蚀开窗口、接着是阻挡层物理气相淀积（PVD）或无电镀复（e-less plating）。此流程中采用如Ti、Ta

昂电池采用一层非晶硅钝化层提高开路电压，而根据赛昂网站上的介绍这种混合型的电池整合了N型晶硅基体，薄膜钝化层和隧道氧化物层三种材料的优势。隧道氧化物层结合薄膜钝化层是获得高性能的PN结并提高开路电压

%。Beitel称由于赛昂电池采用一层非晶硅钝化层提高开路电压，而根据赛昂网站上的介绍这种混合型的电池整合了N型晶硅基体，薄膜钝化层和隧道氧化物层三种材料的优势。隧道氧化物层结合薄膜钝化层是获得高性能的PN结并提

解决了电池的栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题，可以将电池产业化效率提升2～4个百分点。太阳能电池转换效率受到光吸收、载流子输运、载流子收集的限制。对于硅太阳能电池，其转换效率的理论最高值是28
Green）教授认为第三代太阳电池必须具有如下几个条件：薄膜化，转换效率高，原料丰富且无毒。目前第三代太阳电池还在进行概念和简单的试验研究。已经提出的第三代太阳电池主要有叠层太阳电池、多带隙太阳电池和热