钙钛矿层

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我国科学家在钙钛矿太阳能电池领域取得重要突破来源:科技部 发布时间:2018-07-18 11:18:35

太阳能电池器件效率的最高记录。 该结果为提升反式钙钛矿太阳能电池器件效率、推进该类新型光伏器件的应用化发展提供了新思路,可进一步拓展到钙钛矿叠层太阳能电池以及钙钛矿发光器件中,具有潜在的应用前景和商业价值。相关成果6月29日在线发表在《科学》杂志上。

韩华分享 | 实验室最高效率达到21.51%!北京大学创下反式结构钙钛矿太阳能电池器件效率的最高记录来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-10 20:19:47

导致。这些缺陷主要存在于钙钛矿活性层中、钙钛矿活性层与电荷收集层界面处,造成了光生载流子的非辐射复合,进而致使能量损失严重,最终限制了开路电压的提升和光电转换效率的改善,制约了该类结构器件的发展

实验室最高效率达到21.51% 北京大学反式结构钙钛矿太阳能电池取得突破来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-02 09:34:04

钙钛矿活性层中、钙钛矿活性层与电荷收集层界面处,造成了光生载流子的非辐射复合,进而致使能量损失严重,最终限制了开路电压的提升和光电转换效率的改善,制约了该类结构器件的发展。 针对反式结构钙钛矿

Science发表 中国研究团队打破反式钙钛矿太阳能电池效率纪录来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-06-30 18:59:59

主要存在于钙钛矿活性层中、钙钛矿活性层与电荷收集层界面处,造成了光生载流子的非辐射复合,进而致使能量损失严重,最终限制了开路电压的提升和光电转换效率的改善,制约了该类结构器件的发展。 针对反式结构

研究人员将喷涂ETL技术应用于钙钛矿材料来源:pv-magazine 发布时间:2018-06-26 09:21:43

来自纽约大学、北京大学、中国电子科技大学、耶鲁大学和约翰霍普金斯大学的一组研究人员声称,通过喷射涂层技术,他们已经解决了钙钛矿太阳能电池商业化生产上的重大挑战。科学家们表示,喷射涂层可以将电子传输
涂层相较其他方法可将ETL效率提高至30%,从而使功率转换效率从13%跃升至17%,且能减少缺陷。 商业性运用钙钛矿的挑战性,部分原因是因为难以有效地在钙钛矿的结晶表面上涂抹均匀的ETL层。这些

太阳能电池居然怕晒太阳?怎么破?来源:PV兔子 发布时间:2018-06-22 11:17:55

太阳能电池怕晒太阳,一晒太阳就要见光死?这听起来有点啼笑皆非,但又是确凿无误的事实。背板紫外光光解、EVA变色、有机电池(有机电池、燃料敏化电池、钙钛矿电池)紫外光光解、晶硅电池的光致衰减和光热衰减
: - 组件玻璃含铁量比较高,紫外光透不了多少到电池上去; - 晶硅发射极表面掺杂浓度比较高,形成死层,短波长光复合严重,没法有效利用紫外光。 但是紫外光毕竟能量很大,所以一直有人都在打它的主意。高透

国家全面掌控光伏产业的信号?上海电气收购中能硅业的深度解读来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-06-07 18:59:59

了80%的光伏生产设备国产化。 下一代技术,不管HIT,还是钙钛矿,我国的企业都有研发布局,甚至领先。 比如协鑫集团这次SNEC展会就率先推出了钙钛矿组件,可见其在钙钛矿这个被誉为下一代光伏材料的

深度解读 | 国家全面掌控光伏产业信号?上海电气收购中能硅业的背后玄机!来源:光伏盒子 发布时间:2018-06-07 18:31:10

,我国已经完成了80%的光伏生产设备国产化。下一代技术,不管HIT,还是钙钛矿,我国的企业都有研发布局,甚至领先。比如协鑫集团这次SNEC展会就率先推出了钙钛矿组件,可见其在钙钛矿这个被誉为下一代
拥有的融资优势,在光伏这个重资产领域,完全可以碾压对手。所以,接下来光伏的企业家,日子不好过。 也许会有人因此有些怨言,但我觉得这并没有啥好抱怨的。比如说资本市场上,前阵子摩拜被美团收购了,管理层

国家全面掌控光伏产业的信号?上海电气收购中能硅业的深度解读来源:雪球 发布时间:2018-06-07 08:43:49

了80%的光伏生产设备国产化。 下一代技术,不管HIT,还是钙钛矿,我国的企业都有研发布局,甚至领先。 比如协鑫集团这次SNEC展会就率先推出了钙钛矿组件,可见其在钙钛矿这个被誉为下一代光伏材料的

中科院院士何祚庥:太阳能行业的未来是轻量化来源:《能源评论》 发布时间:2018-05-23 15:21:10

,未来会有哪些技术能赶超晶硅技术呢? 何祚庥:目前看来,可能具备与多晶硅相竞争的一个方向就是钙钛矿结构的太阳能电池。原因在于,一是这种太阳能电池的转化效率有希望做到与多晶硅相差不多,甚至更高。二是相关
主要原因。 记者:目前看来,有哪些可行的解决方案或方向? 何祚庥:应对轻薄太阳能组件的结构重新进行设计。一个可能的思路是,光伏组件首先由冷封装的方法制成组件预制件,在这种预制件中晶体硅的晶片由两层