金属化技术

太多成本。然而他也坦承，分子束外延对于讲究高产量与低成本的应用并非理想的方法，因此计划后期将致力于将此技术转化成可量产的制程，例如有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)，并且希望在三年内将这项技术由实验室转移至生产线。

（PV）产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在，用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm，而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至
存在几种制造硅有源层的技术1，本文将讨论其中的三种。 　　薄膜PV基础 　　第一种技术是制作外延（epitaxial）薄膜太阳能电池（图1），从高掺杂的晶体硅片（例如优级冶金硅或废料）开始，然后

：REC。 这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节，即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备，这个环节技术门槛高
(尤其是多晶硅)，具有一定垄断性，以Hemlock、Tokuyama、REC等公司为代表，它们掌握晶硅制备技术，占据全球太阳能多晶硅总产量的95%以上。第二个环节是硅片(Wafer)生产。这一环节的主要

合作为太阳能电池制造商提供一站式(turnkey)共轴金属化(in-line metallization)制程。 双方将结合DEK的最新印刷技术和处理解决方案与BTU的干燥与烧制系统，来开发一个
选择。大量成像技术还透过对沈积制程的更好控制克服了一个主要技术障碍；该技术将材料穿过筛孔(screen and stencil apertures)推到基板上，保证了厚度一致性。 DEK表示，透过

　　由天津南开大学孙云教授主持的“铜铟硒薄膜太阳能电池试验平台与中试线”项目，日前被科技部列为国家863计划新立项课题，并获得1557万元的滚动经费支持，成为此次国内能源技术领域新立项课题中所获资助
额最高的项目。 　　铜铟硒薄膜太阳能电池以玻璃或其它廉价材料为衬底，金属化合物薄膜厚度仅3～4微米，其光电转换效率较高，而资源消耗低、环境污染少。南开大学孙云教授和课题组通过组织联合攻关，目前已在

硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射
里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造

，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。1．2．1单晶硅高效电池
生产和市场发展3．1商业化电池技术 （1）常规商业化电池：商业化晶硅电池主要结构是p呗结。绒面、背场和减反射涂层被普遍采用，细栅金属化技术在不断改进，单晶硅商业化电池效率在13一16％之间