量子效率

产品质量、光电转换效率及整线生产效率，同时降低生产成本，因此，未来设备的技术发展将围绕着以下几方面进行： 　　首先，进一步发展适合大尺寸(如目前主流多晶硅是156mm×156mm方硅片及未来210mm
×210mm方硅片等)、薄硅片的工艺技术设备(目前主流硅片厚度为210μm-240μm)，以节约硅材料降低成本。 　　其次，提高单机自动化水平，增加批次装片量，以提高单机生产效率。以目前主流的多晶硅

索比光伏网讯:引言 1976年卡尔松和路昂斯基报告了无定形硅（简称a一Si）薄膜太阳电他的诞生。当时、面积样品的光电转换效率为2．4％。时隔20多年，a一Si太阳电池现在已发展成为最实用
，但毕竟为非晶半导体器件提供了理论上的依据。1．3半导体能带结构简介 固体能带理论是把量子力学原理用于固态多体系统推算出来的。即，在特定的晶格和相应的电势场分布下求解薛定愕方程，获得体系中电子态按

满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺
；近20年来大量的研究人员在该领域中的工作取得了可喜的成绩。薄膜太阳电池以其低成本、高转换效率、适合规模化生产等优点，引起生产厂家的兴趣，薄膜太阳电他的产量得到迅速增长。如果以10年为一个周期进行分析

技术 减薄a-Si太阳电他的i层厚度可以增强内建电场，减少光生载流子通过带隙缺陷中心和／或光生亚稳中心复合的几率，又可以增加载流子移动速率，同时增加电他的量子收集效率和稳定性。但是，如果i层大薄又会影响
引言 1976年卡尔松和路昂斯基报告了无定形硅（简称a一Si）薄膜太阳电他的诞生。当时、面积样品的光电转换效率为2．4％。时隔20多年，a一Si太阳电池现在已发展成为最实用廉价的太阳电池

电池光电转换效率η=39%。马丁格林教授把聚光电池作为一个新方向。空间电池向薄片化、薄膜化方向发展。BIPV及并网光伏发电前景广阔。除了如何提炼高性能，廉价的太阳级硅材料之外，量子点太阳电池、量子阱

a一引太阳电池的1层库度可以增强内建电场，减少先生载流子通过带隙缺陷中心和／或先生亚稳中心复合的几率，又可以增加载流子移动速率，同时增加电池的量子收集效率和稳定性：但是，如果1层太薄又会影响入射光的
技术水平上作更大规模的产业化开发。中心任务是提高电池的稳定化效率。探索了许多新器件结构、新材料、新工艺和新技术。其核心就是完美结技术和叠层电池技术。在成功探索的基础上，九十年代中期出现了更大规模产业化的

的薄层产生了电动势。但由于被激发的自由电子和空穴在同一区域，电子和空穴经常发生相互抵消现象，从而导致太阳能电池的效率很低。 　　为了使pn结更薄，同时解决自由电子抵消问题，研究人员将两个半导体
的外层后，激发出电子，并在半导体材料之间发生了空穴与自由电子的高效率分离。同轴电缆结构既起到了电池的作用，又起到了普通电缆的作用，解决了电子的分离问题（因为氮、镓与磷具有不同的导电性）。最终，由于

美国科学家近期发表了一项利用纳米碳管来提升染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cell, DSSC)转换效率的研究，这种太阳电池以二氧化钛(TiO2)为材料，这是一种容易取得
(single-walled carbon nanotube, SWNT)上，并由测量发现其紫外光转换为电流的效率为仅使用二氧化钛的两倍。 科学家对于利用纳米级光触媒(photocatalyst)来设计太阳电池一向相当感兴趣