逆变器拓扑

10kWp。常见太阳能逆变器拓扑：升压＋H-桥升压＋H-桥拓扑是太阳能逆变器极为常用的拓扑之一，是一种两级非隔离拓扑。其第一级是升压级，用于把模块的可变输出电压(例如100V500V)升高到更大的中间

原理则是以输出电感电流作为受控目标，系统输出和电网电压同频同相的电流信号，整个系统相当于一个内阻较大的受控电流源。目前，太阳能逆变器已有多种拓扑结构，最常见的是用于单相的半桥、全桥和Heric
(Sunways专利)逆变器，以及用于三相的六脉冲桥和中点钳位（NPC）逆变器。太阳能逆变器的典型架构一般采用四个开关的全桥拓扑，如图1所示。在图1中，Q1和Q3被指定为高压侧IGBT，Q2和Q4则是低压侧

效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。太阳能逆变器是一种功率电子电路，能把

一个内阻很小的受控电压源；电流型控制模式的原理则是以输出电感电流作为受控目标，系统输出和电网电压同频同相的电流信号，整个系统相当于一个内阻较大的受控电流源。目前，太阳能逆变器已有多种拓扑结构，最常见的
是用于单相的半桥、全桥和Heric(Sunways专利)逆变器，以及用于三相的六脉冲桥和中点钳位（NPC）逆变器。太阳能逆变器的典型架构一般采用四个开关的全桥拓扑，如图1所示。在图1中，Q1和Q3被

内阻较大的受控电流源。　　目前，太阳能逆变器已有多种拓扑结构，最常见的是用于单相的半桥、全桥和Heric（Sunways专利）逆变器，以及用于三相的六脉冲桥和中点钳位（NPC）逆变器。太阳能逆变器的典型

电网或分布电源的太阳能逆变器的能源效率，是这一技术取得成功的关键所在。如今，最大输出功率为5kW的高级太阳能逆变器拥有两级拓扑。图1显示了此类太阳能逆变器的多组配置。每组都和自己的功率调节器相连，然后

和电流，并根据检测结果智能地判断切换条件。此外，切换开关装置可以采用电子开关(晶闸管)或电磁接触开关(继电器或接触器)来实现。而微逆变器需解决逆变器拓扑，高频软开关、并网电流控制、MPPT技术等多个

新的MiniSKiiP IGBT功率半导体模块，该模块目前也可提供三电平拓扑结构。新模块拥有4.9 A/cm2的额定电流，在每单位面积的额定电流方面可击败任何竞争对手的产品。 　　2011
年4月27日-赛米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半导体模块，该模块目前也可提供三电平拓扑结构。与竞争对手的产品相比，新模块拥有4.9 A/cm2的额定电流，每单位面积的额定电流最大

特性。Microsemi除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如三级逆变器、交错式PFC升压转换器及矩阵
FPGA用于功率管理和控制Microsemi SmartFusion混合信号FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快闪技术的架构，是帮助逆变器设计人员实现效率最大化，以及在较小的占位面积中集

。 SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制 Microsemi SmartFusion混合信号FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快闪技术的架构，是帮助逆变器设计人员实现效率最大化，以及
(900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。 Microsemi除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如