超薄硅片

仍然会是主流。 PERC电池发展的热火朝天，而原先被认为有可能与PERC一较高下的n-PERT电池逐渐被遗忘。由于掺杂工艺的区别，光伏电池被分为P型电池和N型电池，P型硅片制作工艺简单，成本较低，N型
硅片通常少子寿命较大，电池效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。一直以来，以n-PERT电池、HIT电池为代表的N型电池都被当做未来晶硅电池发展的必经之路。但是P型PERC电池的出现，让N型电池陷入尴尬

。 PERC电池发展的热火朝天，而原先被认为有可能与PERC一较高下的n-PERT电池逐渐被遗忘。由于掺杂工艺的区别，光伏电池被分为P型电池和N型电池，P型硅片制作工艺简单，成本较低，N型硅片通常
焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。 在工艺方面，TOPCon

了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。

利用面积增加了17%，使得相同单位面积上硅片成本降低了10%以上;不仅如此，140m的MWT+超薄硅片应用，较常规180m硅片成本降低22%;而在提升效率方面，高效MWT+蜂巢组件封装密度在92%以上

的电池切片设计，将硅棒有效利用面积增加了17%，使得相同单位面积上硅片成本降低了10%以上;不仅如此，140m的MWT+超薄硅片应用，较常规180m硅片成本降低22%;而在提升效率方面，高效MWT+

：N1-550 赛单晶硅片青山系列以多晶铸锭技术为基础，通过技术升级和工艺改造，以定向凝固的方式生长出大尺寸单晶。在原有高效铸锭赛单晶硅片青山系列LM1的基础上，为了满足市场对大尺寸硅片的需求，今年新赛维

。 据悉，该电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58
多晶电池的世界纪录。 据了解，阿特斯P5多晶使用的是一种最新的铸锭技术。这项破纪录的阿特斯高效电池技术采用P5硅片，并完美结合选择性发射极、氧化硅钝化、叠层减反射、氧化铝背钝化、先进金属化等多项电池技术

。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到

硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。该结果已获德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)下属的

电池效率新的世界纪录。 此次破纪录的太阳电池采用了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面
是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成钝化接触结构。TOPCon电池概念最早由德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(Fraunhofer ISE)在2013年第28届EU