衰减率

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财务稳健、狠砸研发,隆基五年巨头发展之路来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2018-11-01 08:33:40

对于衰减的控制,帮助光伏电站在系统端可累计提高2%左右的发电收益,对于投资收益率影响十分显著。 截至2018年6月底,隆基累计获得各类已授权专利407项,高效产品不断推陈出新。而基于产品技术的优越性
~2018年2月短短5个月时间四刷世界纪录。 与此同时,隆基60型高效PERC组件光电转换效率达到20.66%、双面PERC电池双面率达82.15%、60型PERC半片组件功率突破360W等。2017年

20家主流光伏企业技术路线盘点来源:光伏头条 发布时间:2018-10-31 10:07:59

关键技术研发。 2017年:在组件生产线的关键装备制造、光伏玻璃的透过率,高效电池和智能光伏,光伏玻璃,光伏支架,在晶体硅太阳电池方面,重点进行了太阳电池生产用电子浆料无机粘结剂及电极材料等新材料研发
项目在光伏玻璃生产方面,公司对光伏玻璃成份、配方、原料分选、镀膜液、玻璃压花、钢化强度等生产工艺选型及工艺参数不断优化调整。 向日葵 上半年:发大规格高效晶体硅太阳能电池及组件, LID抗衰减

华电电科院:挖掘光伏大数据价值 详解光伏电站运营要点及技术监督指标来源:光伏們 发布时间:2018-10-30 10:42:44

。原因可能包括组件损坏、阴影遮挡、PID现象或功率异常衰减。 2、分析逆变器输出功率离散率和汇流箱组串电流离散率:若排除逆变器设备故障问题,则需要引入逆变器输出功率离散率和汇流箱组串电流离散率指标

“531新政”倒逼平价上网提速 全国首个无补贴光伏项目将落地来源:证券日报 发布时间:2018-10-30 08:23:08

(第一作者曹宇系索比光伏网总编) 531新政倒逼光伏产业加速平价上网征程。尽管这也迫使部分企业疲于市场而无暇研发,但从大趋势看,为了在平价时代创造更好的项目收益率,以激活下游投资热情,光伏产业
整体发电量要高出44%,基于此,我们有信心确保采用HJT组件在合理价位条件下的项目IRR(内部收益率)较现有其它方案至少高出一个百分点。 高效组件销售呈紧俏趋势 尽管2017年,常规晶硅技术仍然是

20企光伏技术路线:2018上半年研发投入42.22个亿!PERC、半片/双面、叠瓦技术或成组件主流方向!来源:光伏头条 发布时间:2018-10-29 16:23:22

TCO 导电玻璃研发及产业化;高效晶体硅太阳能电池组件封装工艺的研发和应用,直驱式太阳能空调关键技术研发。 2017年:在组件生产线的关键装备制造、光伏玻璃的透过率,高效电池和智能光伏,光伏玻璃
工艺参数不断优化调整。 向日葵 上半年:发大规格高效晶体硅太阳能电池及组件, LID抗衰减电池技术项目,高效黑硅多晶组件研究,电池片串间距粘贴反光膜封装组件提升功率研发项目,管 P 多层减反膜

双面+半片 PERC性价比进阶捷径来源:摩尔光伏 发布时间:2018-10-29 09:19:29

%,首年衰减低于2%,稳定衰减低于0.55%/年,同时叠加双面技术,组件正面功率最高达到320W(60版型),组件双面率大于75%。 半片电池片,为标准电池片对半切割后得到。因此,其内部的电流减少一半

锦州阳光能源随动PVTD光伏技术风向标 将与业内共同推动异质结技术的进步与产品推广来源:索比光伏网 发布时间:2018-10-25 08:37:21

实证数据进行对比分析表明,HDT双玻组件比传统晶硅技术组件在发电量、衰减等关键指标上均具有巨大优势。 锦州阳光能源刘玉颖部长报告了锦州阳光N型单晶规格发展史和N型单晶质量路线,对N型硅棒回顾、N性

如何看待长晶技术新趋势?业界权威这样预测来源:能源汇 发布时间:2018-10-23 14:05:39

预计2018年单晶市场占有率为39%,2019年为46%,2020年单多晶市场份额达到平衡。近日,彭博新能源光伏高级分析师江亚俐在杭州召开的晶体硅生长技术论坛上做出预测。与会专家透露铸锭单晶
技术可以提效1.45%。而且,通过共掺低阻、控制金属杂质,可以有效降低多晶PERC工艺光衰。 铸锭单晶产品性价比持续提升 更低氧含量、更低衰减、无缺角,铸锭单晶产品性价比优势非常明显

“光伏领跑者”火速并网? 中国发电格局酿变来源:21世纪经济报道 发布时间:2018-10-23 09:29:40

领跑者基地比前两批领跑者基地多加了一个条件,对于领跑者光伏组件的准入门槛提高至多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率不低于17%和17.8%,多晶组件一年内衰减不高于2.5%,后续年内衰减不高于0.7

“光伏领跑者”火速并网 中国发电格局酿变来源:21世纪经济报道 发布时间:2018-10-23 08:32:31

比前两批领跑者基地多加了一个条件,对于领跑者光伏组件的准入门槛提高至多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率不低于17%和17.8%,多晶组件一年内衰减不高于2.5%,后续年内衰减不高于0.7