μm。 他说,TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入,使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具,可以沉积多晶硅,或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术,将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率,并在2010年将该比例进一步扩大至2010
。 Information Network进一步表示,薄膜太阳能技术供货商First Solar生产的碲化镉太阳能电池成本是每瓦平均1.12美元,卖出价格则是每瓦平均2.45美元;应用材料(Applied
(amorphous silicon)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒化镓(CIGS)等薄膜太阳能技术,将在09年在整体太阳能市场取得17.8的占有率,并在2010年将该比例进一步扩大至2010
。 Information Network进一步表示,薄膜太阳能技术供货商First Solar生产的碲化镉太阳能电池成本是每瓦平均1.12美元,卖出价格则是每瓦平均2.45美元;应用材料(Applied
。 孚日股份是光伏新兵,瞄准的是CIGS(铜铟硒)电池,采购两条CIGSSe薄膜太阳能电池组件生产线,预计于明年二季度交付。 天威保变(仿效Q-Cels,积极进军非晶硅薄膜
内FirstSolar所筑起的经济规模与进入障碍仍使其它后进厂商难以超越,短期内仍将是CdTe技术的唯一霸主。 三、铜铟镓硒太阳能电池领导厂商发展概况 随着前两年在薄膜热潮下CIGS技术投入厂商产量逐渐释出
厂商难以超越,短期内仍将是CdTe技术的唯一霸主。三、铜铟镓硒太阳能电池领导厂商发展概况随着前两年在薄膜热潮下CIGS技术投入厂商产量逐渐释出,CIGS薄膜太阳能电池/模组的产量已由2006年的5MW
三种:非晶硅(a-Si)、铜铟硒(CIS,CIGS)和碲化镉(CdTe)。欧洲能源协会预测,到2010年薄膜太阳能电池将占据光伏市场20%份额。 把单片硅基太阳能电池互联,封装到一块玻璃上可以得到
,价格也相对较高。二是薄膜太阳能电池,这种方式的转换效率相对较低,但相比成本低、价格低。
薄膜技术突破,优势显著
在目前多晶硅原材料成本居高不下的情况下,各厂商纷纷转而寻求技术创新。而近期
薄膜技术领域的突破使其成为太阳能电池产业新的热点。2007年美国FirstSolar以1.3美元/瓦的低成本,11%左右的转换率,拿下欧洲北美的巨额订单,不受原料限制的大规模生产为薄膜产业的发展带来新
相对较高。二是薄膜太阳能电池,这种方式的转换效率相对较低,但相比成本低、价格低。 薄膜技术突破,优势显著 在目前多晶硅原材料成本居高不下的情况下,各厂商纷纷转而寻求技术创新。而近期薄膜技术领域的
铼德科技集团(2349)深化太阳能产业领域投资,继8月宣布与全球前三大玻璃厂Scheuten携手下游模块制造,14日两公司策略联盟,将在国内合组新公司,切入CIGS薄膜太阳能电池,将是台湾
首家量产CIGS薄膜太阳能电池厂。 该厂今年底初期产能30MW设备将会到位,明年持续扩产30到90MW,预计2010年总产能120MW将挑战成为全球第一大CIGS薄膜太阳能电池厂。 铼德