薄膜硅设备

的平台级技术 自20世纪80至90年代日本Sanyo研发出并确定本征非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构之后，异质结电池(HJT/HIT)的转换效率即在晶硅太阳能电池中位居前列，近期未叠加其他技术的

生产线，大面积组件(1.6mx1.2m)转化效率在12-13.5%之间。 值得注意的是，成都中建材除了生产碲化镉组件，还有铜铟硫、铜铟镓硒、非晶硅等类型薄膜组件，但转换效率均低于10%。与其他碲化镉
，镀釉，光伏LED产品已经全面推向市场。 瑞科官网显示，其光伏研发中心位于美国硅谷，毗邻全球领先光伏巨头，具有丰富的资源优势。瑞科已研制出拥有自主知识产权的核心真空镀膜设备，其中GVD、PVD-M

年光伏发电、系统、装置和组件(强制注册要求)清单》，包含在清单中的六种产品需要通过BIS认证才能在印度市场销售。 强制范围产品包括：地面用晶体硅光伏组件、薄膜光伏组件、其它光伏组件、光伏电力系统用
变流器、并网光伏逆变器、储能电池等太阳能光伏系统、设备及部件。 印度BIS为什么要对光伏产品强制认证? 印度是的人口总数在全球排名第二，一直以来印度将煤电作为电力的主要来源，使其面临着严重的供电不足和

技术开发难点，同时分析HJT浆料的技术发展趋势： 一、HJT低温银浆发展现。 1、HJT电池对银浆的特殊要求 HJT电池是在晶硅基片使用薄膜技术制作PN节、减反射层和导电层的新型电池工艺技术，其
整个电池制作前道过程的工艺温度均不超过400℃。如使用与晶硅电池一致的高温银浆制作电池的正/负电极，该银浆成型所需要700℃以上高温将对HJT电池的薄膜结构造成非常大的损伤。因此需要一款针对HJT电池

，反之将被淘汰。 从硅片端来看，2020年，硅片将延续2019年大尺寸发展趋势。据北京理工大学能源与环境政策研究中心的分析报告，大硅片技术的突破将有效摊薄产业链各环节非硅成本，提升中下游竞争优势，未来

示意图 资料来源：OFweek行业研究中心 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。 图表2
：HIT太阳能电池工艺流程 资料来源：OFweek行业研究中心 制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。 HIT

。 VDMA光伏设备董事会主席Peter Fath博士指出：在光伏生产链中对技术要求苛刻的领域，特别是在晶体硅电池和薄膜组件生产中，大量的新订单证明了德国制造的强大的实力。 根据PV-Tech报道

沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。 招商证券最近的研报中提到，HIT电池具有高效率、低衰减、低温度系数、高双面率等诸多优势，优势显著存在溢价。 目前海外23%效率的HIT电池价格

关键时期，关注布局N-HJT的电池企业。 事件驱动 上市公司竞相布局 晶体硅异质结太阳电池(HIT/HDT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有结构简单、工艺温度低