薄膜硅太阳电池

，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池

引言 1976年卡尔松和路昂斯基报告了无定形硅（简称a一Si）薄膜太阳电他的诞生。当时、面积样品的光电转换效率为2．4％。时隔20多年，a一Si太阳电池现在已发展成为最实用廉价的太阳电池

140个太阳下转换效率达到26．5％。1．2晶硅太阳电池向高效化和薄膜化方向发展 晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中

，而且可以确信这种状况在今后20年中不会发生根本的转变。以晶体硅材料制备的太阳能电池主要包括：单晶硅太阳电池，铸造多晶硅太阳能电池，非晶硅太阳能电池和薄膜晶体硅电池。单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好

五、光伏系统BIPV应用1、定义使光伏发电与建筑相结合，让光伏部件作为建筑物的一部分，或把光伏部件作为建材的一部分。而光伏部件即是指由各种晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池组成的光伏列阵。2、目的利用

多晶硅太阳电池 20.3±0.5 德国弗朗霍夫研究所 1.002cm2面积 InGaP/GaAs 30.28±1.2 日本能源公司 4cm2面积
非晶硅太阳电池 14.5(始)±0.7b12.8(稳定)±0.7 美国USSC公司 0.27cm2面积 含镓的铜铟电池 19.5±0.6 美国国家

电池光电转换效率η=39%。马丁格林教授把聚光电池作为一个新方向。空间电池向薄片化、薄膜化方向发展。BIPV及并网光伏发电前景广阔。除了如何提炼高性能，廉价的太阳级硅材料之外，量子点太阳电池、量子阱

申请专利号 200610117155.9 专利申请日 2006.10.13 名称 廉价多晶硅薄膜太阳电池 公开（公告）号 CN1933185 公开（公告
多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P

，企业竞争力不断增强。而且，浙江、保定、四川等地的公司已经开始多晶硅太阳电池的生产或试车，市场上形成了单晶硅和多晶硅两种主打电池产品的局面。目前，我国非多晶硅薄膜电池产业也展现出迅猛发展的势头，很多国内公司

领域。太阳能电池是光伏发电系统中的关键部分，包括硅系太阳电池（单晶硅、多晶硅、非晶硅电池）和非硅系太阳能电池等。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料较少，又无效率衰退问题，并且可以在廉价衬底材料上制备，其