薄膜硅太阳电池

HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。　　图三Voc和载流子寿命（us）的关系HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面

造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si膜(i型a-Si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2
HIT构造中的a-Si钝化性能的好坏和HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。图五Voc和载流子寿命(us)的关系

三方面的优势：作为减反射薄膜;钝化太阳电池表面从而降低表面复合速度;薄膜中丰富的氢可以钝化体内的缺陷态。影响三个优势体现的关键因素之一就是氮化硅中的硅含量。增加硅的含量，折射率n和消光系数k均相

到200um，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。1、提高太阳电池的光电转换效率和降低成本是太阳电池研究的主要方向，薄膜太阳电池能够大幅度降低材料的用量，是降低太阳电池成本最有效的手段。多晶硅太阳能电池在世

(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池抑制了p型、i型

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜

50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利

年增长率快速发展，2010年产量8.7GW，占到世界总产量的50%，连续四年产量世界第一，商业化晶体硅太阳电池光电转换效率已接近19%，硅基薄膜电池商业化最高效率达到8%以上,生产设备也已经从过去的全部

索比光伏网讯:AM1.5、1000W/m2、25℃是IEC61646--地面用薄膜型光伏组件设计和定型(GB/T18911-2002)的测试标准。也是GB/T11011-1989--非晶硅太阳电池电

，聚合物薄膜与电极间存在的结构缺陷等就会得到缓解，并减小了接触电阻。在以蒸着低分子的OTFSC和非晶硅太阳能电池为首的无机薄膜太阳电池中，利用这一结构缺陷的缓解以达到性能改善，具有前所未见的效果。对反向