薄膜硅型太阳能电池

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玻璃上的光芒---第一太阳能发展史来源:雪球 发布时间:2013-12-05 10:22:33

Harold来说是一个惊天的发现。长期工作在工程开发第一线的他有着GeraldPearson和Bob Swanson不具备的敏锐直觉:如果能将夹在玻璃中间的硅片的生产工艺简化成一层薄膜,那制造成本将指数降低
了他们研究最成熟的薄膜技术,融资1千2百万美金成立了GlassTechSolar公司。然而Gerald对基于薄膜不定型硅的PN结结构的评价一针见血:danglingbonds导致缺陷态太多,大大影响

玻璃上的光芒--第一太阳能发展史来源: 发布时间:2013-12-05 10:20:59

。长期工作在工程开发第一线的他有着Gerald Pearson和Bob Swanson不具备的敏锐直觉:如果能将夹在玻璃中间的硅片的生产工艺简化成一层薄膜,那制造成本将指数降低(谁也比不过浮法玻璃的
放置在室内应用,而玻璃才需要在户外风吹雨淋,以做玻璃产品为出发点做太阳能产品似乎更为贴切。在美国国家新能源实验室(NREL),Haroldlicense了他们研究最成熟的薄膜技术,融资1千2百万美金

外资进本田退 日本光伏市场迎来紧要关头来源:日经BP社 发布时间:2013-12-05 10:00:13

设立子公司开展太阳能相关业务,但仅仅7年时间就宣告结束。 本田以CIGS(铜,铟,镓,硒)化合物为原料的薄膜太阳能电池即使在阴天也能发电,最初作为继硅类太阳能电池之后的新技术而备受期待。不过
太阳能电池领域位居全球第2位的美国第一太阳能公司于11月,宣布正式进军日本市场。将针对太阳能发电站开发投资约100亿日元。该公司使用镉碲化合物的薄膜太阳能电池以低价格为卖点。已经在全球设置了800多万千

外资进本田退 日本太阳能市场迎来紧要关头来源: 发布时间:2013-12-05 09:28:59

2006年设立子公司开展太阳能相关业务,但仅仅7年时间就宣告结束。本田以CIGS(铜,铟,镓,硒)化合物为原料的薄膜太阳能电池即使在阴天也能发电,最初作为继硅类太阳能电池之后的新技术而备受期待。不过

外资进本田退,日本太阳能市场迎来紧要关头来源:日经BP社 发布时间:2013-12-04 23:59:59

销售业务领域撤退。本田于2006年设立子公司开展太阳能相关业务,但仅仅7年时间就宣告结束。 本田以CIGS(铜,铟,镓,硒)化合物为原料的薄膜太阳能电池即使在阴天也能发电,最初作为继硅类
太阳能电池之后的新技术而备受期待。不过,随着硅的价格下降及海外厂商的进入,价格竞争日益激化。在截至2012年的6年里,本田的总产量约为36万枚,设置量仅为6000套左右,该公司判断,今后销量也无望扩大

浅解太阳能电池板接地系统作用和逆变器选型要求来源:电源网 发布时间:2013-12-04 14:09:47

在太阳能发电系统中,把薄膜组件正负极一端接地,可以提高组件寿命,配合逆变器控制,系统也更加安全。有证据显示,晶体硅接地,也可以取得相同的效果。但是,并不是每一种逆变器都可以支持组件接地的,晶福源
系统工程师将为您解释这里面的原因。 太阳能电池板接地的用途 (1)安全作用: 太阳能光伏组件接地是确保工作人员与使用环境安全的必然选项。太阳能光伏模块在太阳光伏系统中,是将太阳光能转换

2013年影响中国光伏行业的十大风云人物来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-11-29 13:50:39

太阳能企业;通过全球技术整合,汉能的技术已居世界领先地位,预计到2014年,其薄膜组件转化率可以达到17%。 人物语录:我就是破坏者未来十年薄膜技术必将取代晶硅光伏电池 风云录:今年《福布斯

上海市政府印发贯彻《国务院促进光伏产业健康发展意见》实施方案来源:上海市人民政府 发布时间:2013-11-29 11:07:55

电极、薄片、纳米结构、薄膜电池、染料敏化等新一代光伏技术发展。加快提高光伏逆变器、跟踪系统、功率测试、集中监控以及智能电网等技术的水平。 (三)光伏现代服务产业。促进光伏产品制造和电站投资

2013年影响中国光伏行业的十大风云人物(图)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-11-29 10:33:59

技术整合,汉能的技术已居世界领先地位,预计到2014年,其薄膜组件转化率可以达到17%。人物语录:我就是破坏者未来十年薄膜技术必将取代晶硅光伏电池风云录:今年《福布斯》中国富豪榜的名单中,李河君以665亿元

砷化镓太阳电池与Si电池、硅光电池的比较来源: 发布时间:2013-11-26 09:40:01

太阳电池相比,其特点为:(1)转换效率高。GaAs的禁带宽度相比于Si要宽,光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也比Si要好。所以,GaAs太阳能电池的光电转化效率要高于Si太阳能电池。Si电池的理论效率
仅为23%,而单节的GaAs电池理论效率为27%,而多节GaAs的电池理论效率更是高达50%。(2)可以制成超薄型电池。GaAs是直接带隙半导体,而Si是间接带隙半导体,在可见光到红外的光谱内,GaAs