薄膜电池转换效率

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提高光伏产品市场准入标准 “领跑者”计划引导光伏技术进步和产业升级来源:中金在线 发布时间:2015-06-11 23:59:59

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%。而领跑者先进技术产品的标准则更为严格:多晶硅电池
组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12

光伏“领跑者”计划明确标准:技术最靠谱来源: 发布时间:2015-06-11 15:22:59

聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。实则是将领跑者计划的准入标准进行转化率上的量化。由此可见
每年安排专门的市场规模实施该计划,要求项目采用先进技术产品。《意见》指出,2015年,领跑者先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍

光伏领跑者计划发布利好 龙头股进入配置窗口期来源:汉能薄膜发电 发布时间:2015-06-11 09:48:51

领跑者计划实施后行业竞争将更加激烈,由单纯规模扩张的比拼向技术和质量的竞逐转换。可以看到,为淘汰落后技术和产能,此次领跑者计划对光伏组件的转化率提出了较高的要求。多晶硅和单晶硅电池组件转换效率分别要达到
16.5%和17%以上,高倍聚光光伏组件达到30%以上,硅基、CIGS(铜铟镓硒)、CdTe(碲化镉)及其他薄膜电池组件转化率分别达到12%、13%、13%和12%以上。这给技术领先的龙头企业发展提供一个

光伏发展这条路“自己强才是真的强”来源:中国电力新闻网 发布时间:2015-06-10 23:59:59

组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上

半年内遭多国双反制裁 我国光伏业需强身健体来源:中国经济新闻网 发布时间:2015-06-10 11:45:07

、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划通过建设先进技术光伏发电基地、新技术应用示范工程等方式实施。 孟宪淦表示:国家出台的一系列措施,为光伏产业
先进技术产品。2015年,领跑者先进技术产品要求达到以下标准:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒

光伏“领跑者”计划明确标准:拿技术说话来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2015-06-10 10:50:10

17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。实则是将领跑者计划的准入标准进行转化率上的量化

我国光伏业需强身健体 技术创新是必由之路来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-10 10:31:02

、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划通过建设先进技术光伏发电基地、新技术应用示范工程等方式实施。 孟宪淦表示:国家出台的一系列措施,为
采用先进技术产品。2015年,领跑者先进技术产品要求达到以下标准:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒

光伏项目优先采用“领跑者”先进技术产品来源:中国经济网—《经济日报》 发布时间:2015-06-10 08:36:00

先进技术产品应达到以下指标:多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率

国家建立光伏产品准入标准循环递进机制来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-09 11:31:46

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年内衰减率

我国逐步建立光伏产品准入标准循环递进机制来源:中电新闻网 发布时间:2015-06-09 10:58:54

组件光电转换效率不低于28%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起,一年