薄膜异质结电池

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指尖上的光伏(二)来源: 发布时间:2012-06-27 10:10:59

光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前的电池光电转化效率,多晶硅约16%,非晶硅薄膜约9%。成本的
结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及N型电池等。这些电池结构采用不同的技术途径解决了电池的栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题,可以将电池产业

HIT电池表面钝化技术的研究来源: 发布时间:2012-06-11 09:55:03

索比光伏网讯:摘要:本文采用PECVD技术沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢
成本的进一步降低。多年来各国科学家一直在努力研究探索低成本高产量的高效薄膜太阳电池制造技术。但是,a-Si:H薄膜太阳光致衰退问题始终没有得到很好的解决,同时其光电转换效率还有待进一步提高。一条可行的

关于印发太阳能光伏发电科技发展“十二五”专项规划的通知来源: 发布时间:2012-04-24 15:05:13

,国际上已经产业化的碲化镉薄膜和铜铟镓硒薄膜电池,在我国还没有商业化生产线;新型电池仍然没有掌握国际上已经产业化的薄膜硅/晶体硅异质结电池、高倍聚光电池、柔性电池的中试和生产技术,染料敏化电池也需要

中国光伏组件国际标准实现零的突破来源:Solarbe.com 发布时间:2012-03-26 13:05:38

(NERL)建立了合作关系等。在国内,公司与中科院上海微系统所一起,承担国家863重大研发课题,开发超高效薄膜硅、晶体硅异质结电池。同时,作为理事单位与中国科学院上海技术物理所等单位一起,共同推动

imec和Kaneka公司首次展示电镀铜顶电极异质结光伏电池来源: 发布时间:2011-11-30 09:01:01

,需要显著改变设备和工艺流程。根据imec的说法,他们一直致力于半导体行业的铜科技研究,他们的电镀铜技术不仅仅达到了高转换率还降低了成本。Kaneka公司的欧洲光伏实验室坐落在imec的比利时鲁汶园区,专注于薄膜和下一代异质结电池的研发。然而,Kaneka公司最近已经停止了非晶硅薄膜组件的生产。

SERIS为光伏电池ARC喷涂系统订购Singular PECVD工具来源: 发布时间:2011-11-07 08:56:43

(SolarEnergyResearchInstituteofSingapore,SERIS)订购的一款用于晶体硅太阳能电池的ARC系统喷涂工具。SINGULAR是SERIS一项投入数百万美元研究硅片异质结电池及其大批量投产的研究的一部分

SERIS为ARC喷涂系统订购Singular PECVD工具来源:PV-Tech 发布时间:2011-11-06 23:59:59

Institute of Singapore,SERIS)订购的一款用于晶体硅太阳能电池的ARC系统喷涂工具。SINGULAR是SERIS一项投入数百万美元研究硅片异质结电池及其大批量投产的研究的
,它能降低太阳能电池的生产成本,为光伏行业提供一种更具成本效益的能量来源。SERIS运营着硅片太阳能电池和薄膜太阳能电池实验生产线各一条。Singular工具已经证明了氮化硅ARC的能力,对目前

第26届EU PVSEC闭幕:光伏发电将成为主要的电力来源 来源:Solarbe.com 发布时间:2011-09-13 14:27:06

核心技术,我们将看到,通过这种新技术,类似的效率也可以实现。背接触电池的进展和硅异质结电池效率的提高是本周展会的一大亮点。在这些领域,我们看到欧洲和日本创纪录的电池效率。薄膜电池仍然是整体光伏生产中的

电工所与超日太阳签订薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池技术合作合同 来源:电工所 发布时间:2011-04-15 10:30:51

2011年3月,本着合作共赢的原则,电工所与上海超日太阳能科技股份有限公司签订了关于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中试工艺技术的合作合同。电工所将其在实验室研究中得到的有关硅异质结太阳电池的研究结果
转化到超日和万阳的中试线上进行放大研究,协助超日开发硅异质结电池中试工艺,并对超日技术人员进行硅异质结太阳电池电池的工艺技术培训。超日公司为此提供为期三年的研发经费支持。本次合作合同是基于中国科学院电工

浇铸多晶硅片比重上升 单体电池成本下降来源: 发布时间:2009-02-11 11:13:59

增强化学气相沉积)技术,将具有减反射效果的SiNx薄膜镀在电池受光表面,增大光吸收量。目前有3种类型的进口设备,国产化设备研制也已迈开步伐。 丝网印刷技术是目前简单可靠、精密且低成本的
质量有很高要求,量产效率可达19%~20%。 2.HIT(非晶硅锗混合型异质结)电池:由日本三洋公司研发,以高质量超薄非晶硅层包裹在单晶硅外表面来降低表面复合而形成的异质结电池,研发