薄膜异质结电池
Lausanne合作开发一种低温(200C) PECVD工艺，为了沉积硅片双面所需的非晶硅层，降低能源成本，使薄膜硅片得以加工，并且在正面接触使用相当少的银。 异质结电池包括两个超薄非晶硅层，其在N型单晶硅片和两层非晶硅之间创造异质结，提供提高的光捕获及转换效率。
夏普公司(Sharp Corporation)进入批量生产的新一代太阳能电池技术，预计将基于其晶硅和非晶硅薄膜电池的长期发展，号称效率超过25%。
夏普于2014年四月下旬在日本宣布，氢化
介绍其混合异质结电池的最新转换效率，最近在上周阿姆斯特丹的EU PVSEC活动上跟进一个类似介绍。
夏普电池的细节包括41.7 mA/cm2的短路电流密度(Jsc)以及736 mV的开路电压
光伏电站设备的承载系统，为电站设备的规划、新设备的接入提供载体；统一的电气及视频数据库，也为光伏电站建设经济模型的建立提供数据服务。
光伏电站SOA云计算监控与运维系统通过对薄膜电池、晶硅电池
、异质结电池等光伏组件在不同环境下的运行表现及状态参数的分析，提供给光伏电站设计人员作为有关设计依据，提供给光伏电池研发人员作为研发路线参考依据，为国电光伏的组件制造和EPC业务提供强有力的服务支持。
光伏圈总是很热闹，各种思想和智慧不断碰撞，时不时火花四溅。前一阵，关于晶硅和薄膜谁主沉浮的讨论剑拔弩张；最近，关于单晶和多晶产品谁将主导市场的讨论接踵而至。技术交流有益开阔思路，观点碰撞有助大脑健康
，多晶会随之慢慢萎缩，原因有几个方面：
1、电力便宜（0.3元以下）；
2、投料量增加（连续提拉）；
3、切割成本会进一步下降（降低0.8~1.2元/片）；
4、转化效率高（异质结电池
专利技术。该技术对传统电池工艺的革新体现在金属化和互连两个工艺中，电池在PECVD减反射镀层后网印细栅，而后不网印主栅，而是将一层内嵌铜线的聚合物薄膜覆盖在电池正面，如图一所示。这层薄膜内嵌的铜线表面也镀
Energy将更名为DNA技术的电池连技术成功应用于Roth & Rau的异质结电池，并取得了19.3%的组件效率。同年总部位于瑞士的设备制造商Meyer Burger收购Roth & Rau。2012年
薄膜电池)，产量达到40.3GW。与2012年相比，增长7.5%，多晶硅电池和单晶硅电池的比例约为3∶1。太阳能电池呈逐年增长发展态势，但近几年发展趋于平缓。从发展区域看，中国大陆以25.1GW的产量
，CIGS薄膜太阳能技术就已被列为了国家节能减碳的绿色环保型鼓励型项目，成为国家重点扶持的项目之一。太阳能光伏市场应用越发宽领域、多样化，适应各种需求的光伏产品也不断问世，除了大型并网光伏电站外，与建筑相结合
工艺的革新体现在金属化和互连两个工艺中，电池在PECVD减反射镀层后网印细栅，而后不网印主栅，而是将一层内嵌铜线的聚合物薄膜覆盖在电池正面，如图一所示。这层薄膜内嵌的铜线表面也镀有特别的低熔点金属，在
为DNA技术的电池连技术成功应用于Roth & Rau的异质结电池，并取得了19.3%的组件效率。同年总部位于瑞士的设备制造商Meyer Burger收购Roth & Rau。2012年Day4
到，赛昂电力的核心技术名为复合硅基薄膜隧道异质结技术，该技术不同于常规太阳能电池，其综合了晶硅和薄膜电池各自的优点，在转换效率、温度系数和衰减速率三大指标上，均有优异表现。目前赛昂杭州工厂生产线量产
单晶电池，博秀组件每瓦成本较普通P型单晶成本高一点，但不太大，电站系统端则具备更高的性价比，可以实现更低的每度电发电成本。
与赛昂的异质结电池效率接近，晶澳博秀电池量产平均转换效率已达到20.4%, 实验室转换效率达到21%。（文/涉江）
获得了后来被称为Day4Electrode的专利技术。该技术对传统电池工艺的革新体现在金属化和互连两个工艺中，电池在PECVD减反射镀层后网印细栅，而后不网印主栅，而是将一层内嵌铜线的聚合物薄膜覆盖在电池
正面，如图一所示。这层薄膜内嵌的铜线表面也镀有特别的低熔点金属，在随后的组件层压工艺中，层压机的压力和温度帮助铜线和网印的细栅结合在一起。这些铜线的一端汇集在一个较宽的汇流带上，在同一步层压工艺中连接
异质结电池然而，风水轮流转，业内所预期的晶硅原料长期短缺问题自2010 年起开始纾解，供应大幅提升，价格暴跌，在整个太阳能行业开始萎缩的大背景下，当时失去了价格优势的薄膜的发展更是举步维艰。理想能源高瞻远瞩
致力于做高效太阳能电池，也就是异质结电池。参照当时日本三洋公司的HIT电池处于世界领先水平之后，理想能源坚定了向这一世界领先水准靠拢的决心， 并成立了子公司上海理想万里晖薄膜设备有限公司。万里晖致力于高效
