晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外,电池转换效率受制于很多因素,为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失,各种工艺、技术应运而生:表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。
目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主,其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
替代薄膜和单晶硅片替代多晶硅片的过程为异质结替代单质结做好了产业铺垫,因为异质结电池的硅片基底是N型单晶硅片,P型单晶制备工艺可以转化为N型工艺(这并不是能级跃迁),所以当P型单晶硅片全面替代P型
毁灭性创新两次能级跃迁复盘
光伏历史上有两次技术迭代带来的行业跃迁:晶体硅替代薄膜路线和单晶硅片替代多晶硅片。
完全不同的新技术替代了难以升级的老技术形成转换效率的跃迁,摧毁了现存者的资产负债表
近日,钧石能源生产基地传来喜讯,钧石能源HDT异质结太阳能电池量产产品的最高转换效率达到了25.2%并经TUV北德公司权威检测认证,这是目前市场上,量产的异质结电池所达到的最高纪录
电池成本8-12%。预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术;
第二,非晶硅薄膜的透光性能进一步提升,可以提升效率0.2%以上;
第三,新型磁控溅射TCO材料的
近日,钧石能源生产基地传来喜讯,钧石能源HDT异质结太阳能电池量产产品的最高转换效率达到了25.2%并经TUV北德公司权威检测认证,这是目前市场上,量产的异质结电池所达到的最高纪录
电池成本8-12%。预计后续进一步在材料上的创新可以降低耗银至100mg且无需专门开发匹配组件技术;
第二,非晶硅薄膜的透光性能进一步提升,可以提升效率0.2%以上;
第三,新型磁控溅射TCO材料的采用
intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底,通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征及不同掺杂类型的非晶硅薄膜,并采用双面透明导电薄膜做电流收集层
光伏市场的不断发展,高效电池将成为市场主导,单晶硅电池市场份额逐步增大,2019年单晶硅片市场份额超过50%,随着异质结电池、N型PERT电池的应用推广,N型单晶硅片的市场份额,也将逐年提高,单晶硅片的
。
HIT生产线核心设备有望近期实现国产化:HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备,对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备
。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底,通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征
及不同掺杂类型的非晶硅薄膜,并采用双面透明导电薄膜做电流收集层,从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池,C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线,使栅线具有更加优化的高宽比,提高了短路电流,提升了电池的转换效率,同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。
生产环节,最高工艺温度不超过200℃,可使用130m甚至更薄的硅片,在设备和材料上的降本空间很大,成本优势非常明显。 异质结电池还有其它优势。据索比光伏网称,异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜
)TOPCon和HJT进入孕育期,期待新的技术红利启动。2020年12月9日泰州中来生产的TOPCon电池量产转换效率已达到24.5%。2020年12月16日,爱康科技第一片异质结电池试样生产正式下线,该
,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的N型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时,设备厂商正在布局
HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步,其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序,高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
效率的分水岭是24.5%,要实现25%的量产效率,RPD扮演着非常关键的角色,同时异质结电池效率要想达到25%以上,必须要通过双面技术来实现。未来超高效率的电池技术将全部建构在异质结电池基础上,这也