薄膜太阳电池

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。从目前国际太阳电池的发展过程
可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。随着光伏产业的波诡云谲、跌宕起伏的发展，多晶硅的市场也悄然发生着巨大的变化。市场规模：产能停滞不前

走在复牌重生路上的汉能，拿出了不俗的成绩单！3月30日，汉能薄膜发电集团发布2016年业绩：本年度共实现营收44.83亿港元，较上一财年大幅上升59%；毛利增加至25.98亿港元，较上一年度增长89
上千亿元，汉能宣布紧急停牌，当天股价下跌47%几近腰斩。此次风波对汉能打击巨大，供应商终止合作、裁员、高管离职等各种问题接踵而至。2015年，汉能薄膜净亏损高达122.33亿港元(约合101.99亿元

光伏发电，即根据光生伏特效应原理，利用太阳电池将太阳光能直接转化为电能。作为绿色清洁能源的代表光伏发电行业可谓是近年能源圈的宠儿。新的一年，业界不禁憧憬：2017年的光伏市场将是何种景象
国内市场需求，关键工艺技术与国外领先水平相比仍存在差距，尤其在核心光伏装备领域，新型薄膜、异质结等技术路线发展缓慢，基础创新能力也亟待提升。还有部分实力不强、未进入规范公告的企业仍能获得应用补贴、出口

钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率。IBC电池的工艺技术较之传统太阳电池，IBC电池的工艺流程要复杂得多。IBC电池工艺的关键问题，是如何在电池背面制备出呈叉指状
关键是设备和运行成本。2.表面钝化技术对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的光学损失分析和光学减反设计显得尤其重要。在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能

一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下
实现。目前，国内的HIT太阳电池组件刚起步，还需要进一步加快发展步伐。日本松下最新发布的家用HIT高效组件，转换效率已达19.6%。HJT太阳能电池技术HJT(Heterojunction

Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。 目前，国内的HIT太阳电池组件刚起步，还需要进一步加快发展步伐。日本松下最新发布的家用HIT高效组件，转换效率已达19.6%。 HJT

，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。 HIT太阳电池组件 HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅
片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200

世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池

在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic
Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压

5月创造的22.94%的同项世界纪录，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到