薄膜太阳电池
CdTe组件的生产工艺和核心设备，建立了一条全自动化、全国产化的CdTe薄膜太阳电池组件生产线。
北京国家大剧院幕墙及采光顶项目
包钢称，碲化镉电池具有温度系数低，弱光性好，热斑小的独特
、火力发电公司、风力发电公司和煤制油煤化工公司，国家能源集团近日在2018中国西安光伏产业发展高峰论坛暨展览会上首次展示了铜铟镓硒薄膜光伏建筑一体化(CIGS-BIPV)核心技术展示单元平台。国家能源
四元化合物半导体，具有无毒、低成本、理论光电转换效率高等优点，作为下一代太阳电池的优秀候选材料而引起了人们的广泛关注。CZTS的带隙值为1.5eV，接近单结太阳电池所需的最佳带隙值。当与其他元素(如
Ge或Ag)合金化时，CZTS的带隙可以很容易的在很宽的高范围内调整。与需要稀土材料的CIGS和含有有毒材料的CdTe电池相比，CZTS满足高带隙、无毒、元素地壳含量丰富等要求。
高效CZTS太阳电池
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。
HIT太阳能电池的优势
低温工艺
由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。
高稳定性
HIT太阳电池Voc越高
年代，基于p+pn+ 或p+nn+ 结构的双面受光晶体硅太阳电池的结构被正式提出。
1994 年Moehlecke 等在第一届世界光伏会议上介绍了基于p+nn+ 结构的双面太阳电池，该电池的正面
光伏组件、单晶PERC 双面光伏组件、异质结(HIT 或HJT) 双面光伏组件3 类。
1) 单晶n 型双面光伏组件。图1 为基于磷掺杂的n 型硅制备成p+nn+ 结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂
理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。
在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将产生场效应
来源：太阳能杂志
摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响
。
0 引言
随着能源日益紧张，环境保护越来越迫切，可再生绿色能源越来越受到人们的关注。硅太阳电池是研究热点之一，也是目前唯一产业化的太阳电池。为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低
及其双玻组件、低光衰高效率背面钝化单晶硅太阳电池及组件等多项产品以及技术加快了光伏评价上网的步伐。
苏州腾晖光伏2017年与四川大学谢凌志教授签订科技副总协议，期间，谢教授协助腾晖在村镇民居嵌入式
光伏建筑一体化方面的进行技术研发，针对地震活跃地区嵌入式光伏系统需具备的与建筑有机集成、高抗震性能、高居住舒适度等特点，开展了关于晶硅电池材料与组件、薄膜电池材料与组件、聚光器的一系列研究，为我国
法制作Al2O3 薄膜来作为太阳电池的钝化层。首先是根据实验数据修改固定参数，直至我们所建立的MOS 模型能够完整模拟该电池的C-V 特性曲线;接着保持其他参数不变，改变固定电荷密度和缺陷密度这两个
太阳电池的钝化层直接影响太阳电池的性能，钝化层界面上固定电荷密度和缺陷密度是分析其钝化效果的关键参数。本文通过建立MOS模型来模拟钝化层的电容-电压(C-V)特性曲线，并使用函数表达模拟曲线，建立
晶体硅太阳电池以外，也可以应用在薄膜电池上。如美国俄勒冈州立大学的研究者们使用3D打印技术成功地制造出了铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池，节约了90%的原材料。麻省理工学院(MIT)则通过一台特制3D
，使本来需要在高温下才能进行的化学反应，当处于等离子体场中时，由于反应气体的电激活作用而降低了反应温度，从而在较低的温度下甚至在常温下就能在基片上形成固态薄膜。
◎热氧化法
在太阳电池制造过程中，将
已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将
