薄膜厂
with Intrinsic Thin Layer, HJT)全称本征薄膜异质结，其通过在P-N结之间插入本征非晶硅层进行表面钝化来提高转化效率。基于HJT的诸多优点，其有可能会成为下一代主流技术：1)传统HJT理论
with Intrinsic Thin Layer，也被称为HIT，中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构，中间为N型晶体硅，然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，形成P-N结。而硅片
偏早。
6.钧石能源目前异质结的发展现状
钧石是从薄膜太阳能电池开始做，最核心的设备就是PECVD和PVD的相关设备，我们整个团队以美国回归的王博士为主，2016年我们建了第一个100MW的中试线
达成协议，在等他们的验厂动作，包括后续松下的技术人员也会加入到爱康中来，已经有300-400MW的订单。淡马锡、欧洲气候基金、普枫每家有100MW的订单。
国内订单：国电投福建公司有260MW的订单
铜铟镓硒太阳能产品和技术的研发的企业;经过多年持续的技术投入和积淀，成功掌握铜铟镓硒太阳能发电薄膜量产技术和核心装备制造技术，目前已设立多条铜铟镓硒能源芯片智能制造生产线。
未来，双方将充分发挥各自
在能源领域的优势，依托圣晖莱南京能源科技有限公司关键材料配方技术、半导体全套工艺制程技术、核心装备制造及整厂设备制造技术，借助江山控股清洁能源发电项目的开发、投资和运维管理等背景资源，快速、持久展开多方位的
)
57 济南临港智慧能源产业园项目 (年产模块化变电站14站、气体绝缘输电线路系列产品120公里)
58 北京汽车制造厂有限公司青岛分公司整车(迁移)项目 (年产汽车5万辆)
59 青岛海纳新
科技有限公司双氧水法环氧丙烷装置及配套双氧水装置项目 (年产环氧丙烷30万吨、双氧水90万吨)
68 先导薄膜材料(淄博)有限公司新型显示用ITO靶材及其他薄膜材料产业化项目 (年产靶材系列产品
毁灭性创新两次能级跃迁复盘
光伏历史上有两次技术迭代带来的行业跃迁：晶体硅替代薄膜路线和单晶硅片替代多晶硅片。
完全不同的新技术替代了难以升级的老技术形成转换效率的跃迁，摧毁了现存者的资产负债表
，关闭了旧的上升通道。
颠覆性新技术激发能级跃迁。
1、2009-2010年，硅料多晶替代薄膜
随着2005年《京都议定书》的生效，德国《可再生能源法》、西班牙皇家太阳能计划等出台，可再生能源
一起创办了扬中通灵电器设备厂，也就是今天的江苏通灵电器股份有限公司。李前进采取了老中青相结合的方式，迅速组建研发团队，瞄准国际前沿，夜以继日地联合攻关，反复试制，最终研发出了第一代接线盒产品，赢得了市场
薄膜组件防反汇流盒实用新型、二极管集成模块接线盒实用新型等专利证书，获得科技人才奖。
如今，江苏通灵电器股份有限公司已发展成为总资产约12亿元，职工1200余人，年销售近9亿元的股份公司，连续十年获得
光电光伏电站项目成功并网投产
2021年1月28日，深圳华星t7玻璃厂二期屋顶分布式光伏发电项目并网仪式在项目现场举行。该项目是由赛格集团旗下赛格龙焱投资，全部采用赛格龙焱完全自主知识产权生产线生产
的碲化镉薄膜太阳能光伏组件建设的分布式光伏电站。项目于2020年10月28日开工建设，建设者们精心组织、克服疫情影响，仅用3个月时间就完成了项目的建设及并网。电站总装机容量2.81MW，预计年均发电量
单晶硅组件，项目投产后，每年可节约标准煤约 6139 吨，减少二氧化碳排放约 19871 吨。玻璃厂二期屋面由深圳赛格龙焱能源科技有限公司投资建设，采用其自主生产的碲化镉薄膜光伏组件，总装机容量
2.81MW，是华南地区最大的碲化镉薄膜光伏发电站，项目投产后，每年可节约标准煤约 1160 吨，减少二氧化碳排放约 3132 吨。
官方表示，TCL 华星 t6、t7 主厂房屋面项目预计平均年发电量大约 1995 万度，每年节省电费约 300 多万元，玻璃厂二期屋面项目预计年均发电量约 310 万度。
亚玛顿集团全资子公司凤阳硅谷智能，布局超薄光伏玻璃产业链;12月，中石化资本又入股了常州百佳年代薄膜科技股份有限公司，布局光伏胶膜产业。
除了中石化，其他几桶油在新能源领域也屡有动作。
中海油早在
，主要是耗电，尤其是大的炼厂、管道公司、油田，一年要消耗几亿甚至十几亿度电。而新能源最大的着力点就是发电，比如风力发电、光伏发电。传统能源企业消耗的这些电能，可以从传统煤电转换为清洁能源，这是最好的结合点
业内称为是下一代商业光伏生产的候选技术。
由于PERC无法升级到HIT，电池厂将开启新一轮的资本开支周期，设备价格预计从5亿先降到4亿，未来有潜力降到3.5亿，对应2020-2025年设备产值10
。
HIT生产线核心设备有望近期实现国产化：HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备
