薄膜光电
四元化合物半导体，具有无毒、低成本、理论光电转换效率高等优点，作为下一代太阳电池的优秀候选材料而引起了人们的广泛关注。CZTS的带隙值为1.5eV，接近单结太阳电池所需的最佳带隙值。当与其他元素(如
郝晓静研究员课题组通过异质结的后热处理，使标准面积(超过1cm2)及小尺寸CZTS太阳能电池的光电转换效率分别突破10%及11%。该结果发表在国际顶级期刊自然能源(Nature Energy)上
8000万平方米
广东是中国光伏行业国内最重要的市场之一。2014年8月中国最早的1MW屋顶光伏电站在深圳国际园林花卉博览园建成发电。得益于国家光电建筑和金太阳工程的政策支持，广东光伏应用从2009
%;薄膜电池组件转换效率不低于8%，其中铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池组件转换效率不低于12%。
项目建设单位须为在广州市辖区内依法登记注册、具有独立法人资格的企业、事业单位。
采取后补贴方式，在
顺风、常州亿晶光电，10家企业电池片产量合计19.16GW。
组件产量突破GW的企业有10家：分别为常熟阿特斯、天合、泰州乐叶光伏、韩华新能源(启东)、无锡尚德、协鑫集成、常州亿晶光电、苏州腾辉
：电池片企业39家，光伏焊带企业14家，光伏玻璃企业21家，接线盒及连接器企业10家，光伏边框企业12家，光伏背板企业8家;
下游企业：晶硅组件企业34家，薄膜组件企业2家，逆变器企业6家，支架企业
间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
依次沉积厚度为5～10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧，再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧
理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。
在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
氢化氮化硅薄膜，使用这种方法可以增加硅太阳能电池生产量并降低其生产成本。
3.2 氢化非晶硅
非晶硅(a-Si)薄膜作为重要的非晶态半导体材料具有特殊的结构和光电性质。但是，由于薄膜内部大量的悬挂键
1 亿晶光电半年获得政府补助656.64万元
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。
公司根据
发出的清洁电力预计可以满足1100户家庭的日常用电需求。
据悉，该电站为日本BCPG公司持有，现已正式投入运营，这是日本最大的农光互补光伏电站项目之一。
3 正信光电中标印度BHEL项目
。7月27日，阳光电源宣布其印度工厂3GW逆变器产能正式投产。
SOLARZOOM新能源智库总结评价：
短期来看，针对光伏产品实施的商品和服务税(GST)和保障性关税对印度光伏市场发展形成一定程度的
组件和薄膜电池及组件)征收70%的从价税作为临时保障性关税，为期200天，而在同年4月又对外宣传取消该建议实施。
3) 2018年6月，印度工商局下属的贸易救济总局(DGTR)再次就关于进入印度的
高达1800万美元的能源成本，并创造每年超过1150万千瓦时(kWh)的光伏发电量。此项目获得了当地学生及政府的高度认可。
海口经济学院光电建筑一体化示范项目
无独有偶，同样的需求也在国内获得
薄膜光伏组件，材料非常柔软，可以弯曲，铺设在长廊顶部，与周围环境浑然一体，因其不含易碎玻璃成分，安全性能更高。
其中，在2017年12月25日工程竣工的漯河职业技术学院4200平方米、26栋楼楼顶的
，印度最大的(EVA)薄膜生产商RenewSys联合其他几家本土公司向反倾销和联合关税总局(DGAD)递交了一份请愿书，要求对来自中国、马来西亚、沙特、韩国和泰国的太阳能组件EVA板征收反倾销关税
。
2018年7月13日，印度中央政府2017年9月5日发布的太阳能光电、系统、设备和部件商品规则(强制注册要求)2017 Vide S.O.2920(E)，涉及6种产品，计划于2018年9月5日起生效
基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应将硅片的有效载流子寿命由10～20s提高到100～120s，同时利用激光对
Al2O3/SiNxHy层叠薄膜进行局部开孔，使铝浆能通过孔洞与硅片形成良好的欧姆接触。本文研究工业生产中工艺参数与PERC电池转换效率之间的关系，分析工艺参数对硅片少子寿命的影响，并得出少子寿命与
