薄硅片
激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步
Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用
目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大幅度降低成本成为可能。
若考虑系统安装总量相同的情况(假设均为1MW)，则采用更高功率的组件在
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。
采用了PERC技术后，光生空穴
硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高；并且可以适用于更薄的硅片
来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高；并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大
，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷
技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片，使得进一步较大
一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显
廉价太阳能发电技术，是一项可以让太阳能电池效率翻倍的技术。太阳能电池板覆盖了越来越多的屋顶，但是，尽管这项技术已经发展了几十年，这些硅片组成的电池组件仍然笨重、昂贵而且低效。理论上的限制让这些常规的
亿美元，合每股摊薄亏损0.78美元；上一季度净利润为2190万美元，合每股摊薄收益0.15美元；去年同期净亏损为3.20亿美元，合每股摊薄亏损2.44美元。市场分析师此前平均预计，不按照美国通用
从传统的改良西门子法做到硅烷流化床法，又从全球多晶硅龙头，做到产能占全球三分之一的硅片巨头。这家全球盈利能力最强的新能源企业除了在单多晶技术路线和新的流化床技术方面偶尔会出来说几句之外，其余时间似乎
通过自建和并购，同样五年时间，将硅片产能一步步提升到近20GW，占全球硅片产能的三分之一。
五年时间实现了很多企业一生追求的目标，协鑫在剩下的时间做什么？
一路高歌猛进的协鑫，似乎在这
，2017年无论是单晶还是多晶，仍将是齐头并进，不会完全出现一边倒趋势。
此外，长远来看，为了降低成本，硅片切片切得越来越薄，这将使得双玻组件可能会得到青睐。
补贴方面，2017年压力继续
、硅片、电池片价格低点都可能再创新低。
2016年我国光伏市场为何会出现井喷式增长?2017年行业是否真的再度迎来新寒潮?带着这些问题，我们采访了中国循环经济协会可再生能源专委会政策研究主任彭澎
咨询机构EnergyTrend金级报告预估，2017年为太阳能需求高速发展以来几近零成长的年份，过度的供过于求可能使明年下半年再现价格失序风暴，不仅组件价格整年跌幅将超过10%，中上游多晶硅、硅片
越来越贵的形势下，转换率越高越合算，因此2016年国内单晶市场份额增长较快。尽管如此，2017年无论是单晶还是多晶，仍将是齐头并进，不会完全出现一边倒趋势。此外，长远来看，为了降低成本，硅片切片切得
形势下，转换率越高越合算，因此2016年国内单晶市场份额增长较快。尽管如此，2017年无论是单晶还是多晶，仍将是齐头并进，不会完全出现一边倒趋势。此外，长远来看，为了降低成本，硅片切片切得越来越薄
多晶硅、硅片、电池片价格低点都可能再创新低。2016年我国光伏市场为何会出现井喷式增长?2017年行业是否真的再度迎来新寒潮?带着这些问题，我们采访了中国循环经济协会可再生能源专委会政策研究主任彭澎
