薄硅片

环节布局一体化趋势明显。 掺杂、薄片化技术演进硅片厚度降至175m 契合下游新兴电池组件技术发展，2020年硅片掺杂、硅片厚度减薄是硅片环节目前主要的技术演进方向。 硅片性能方面，2020年薄片化

生产环节，最高工艺温度不超过200℃，可使用130m甚至更薄的硅片，在设备和材料上的降本空间很大，成本优势非常明显。 异质结电池还有其它优势。据索比光伏网称，异质结电池工艺简单(制绒清洗、非晶硅薄膜
沉积、TCO制备、电极制备)、效率高、工艺温度低、光致增益全生命周期发电量高、弱光发电性能较好，以及能更好的利用超薄硅片，并且未来可与钙钛矿等电池技术形成叠层电池，增大光谱吸收范围，效率突破35%甚至

，硅片减薄成为大势所趋。易治凯透露，与PERC电池相比，异质结更适应薄片结构，目前量产可实现140微米下良率不受影响，理论上最薄可以达到90微米。 据悉，目前爱康科技生产的异质结电池主要
可达25%，叠加钙钛矿叠层技术后，效率可轻松突破27%，且无PID/LID现象，堪称平价时代的第一选择。 1000W!更高输出功率 进入2020年，几乎所有组件企业都在推出基于大尺寸硅片的超高

降低成本的路径，一个是自身降低成本，一个是帮下游降低成本。自身降低成本，有两个方法，效率提升的连续直拉法和减薄厚度增加出片量。至于帮下游降低成本，可以通过大尺寸硅片来摊薄非硅成本。所以硅片有继续降低成本

混合浆料。 此外，由于异质结电池生产温度低，硅片可以做得更薄，进一步降低成本。 2019年12月12日，东方日升发布了业内首款半片异质结组件，效率高达21.9%，于2020年2
都给行业带来重大的变化。而目前光伏产业正在经历第四次历史机遇，这将是产业本质上的升级，光伏进入以210大硅片、异质结为主的新赛道。 从高功率组件到高发电组串 在第四次浪潮中，行业不再单纯追求组件高

表明，硅片每减薄20m，对应组件价格降低5-6分/W，而HJT更容易实现硅片薄片化。目前理想万里晖PECVD产品可使硅片厚度降低到130m - 150m，通过有效减少每瓦耗硅量，使硅料、硅片环节的

趋势确定，供需格局将要反转 薄片化发展趋势明确，异质结电池发展将继续减薄硅片厚度。薄片化有利于降低硅耗和硅片成本，但会影响碎片率，目前硅片切片技术已经完全能满足薄片化的需求，但硅片具体厚度还需要结合