薄硅片

14.25万台，产能的增加幅度约为现有产能的130%。产能的释放将带来业绩的快速增长。盈利预测与估值：我们预计公司2010-2012年完全摊薄EPS为0.67元、0.92元和1.35元。结合发行的中小板公司及
100MW太阳能电池片产能;(2)河南杞县100MW太阳能单晶硅片产能;(3)东磁光伏园区300MW太阳能电池片和50MW组件产能;(4)东磁光伏园区500MW太阳能电池片和250MW组件产能，以及河南杞县

增加到14.25万台，产能的增加幅度约为现有产能的130%。产能的释放将带来业绩的快速增长。盈利预测与估值：我们预计公司2010-2012年完全摊薄EPS为0.67元、0.92元和1.35元。结合
光伏园区100MW太阳能电池片产能；（2）河南杞县100MW太阳能单晶硅片产能；（3）东磁光伏园区300MW太阳能电池片和50MW组件产能；（4）东磁光伏园区500MW太阳能电池片和250MW组件产能

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种
研发了非晶Si/N-Si异质结结构电池。由于在异质结界面插入一层本征非晶Si薄层，所以这类太阳能电池的结构也称为具有本征Si层的异质结电池，简称HIT电池。通过插入薄本征非晶硅层，降低了太阳能电池的

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种
太阳能电池日本三洋公司研发了非晶Si/N-Si异质结结构电池。由于在异质结界面插入一层本征非晶Si薄层，所以这类太阳能电池的结构也称为具有本征Si层的异质结电池，简称HIT电池。通过插入薄本征非晶硅层

自动化，并且可以调节背面基极和发射极所占的面积比例，降低电极的接触电阻；(3)用孔洞将前后发射极连接在一起，对于低少子寿命的硅衬底仍可以获得较高的短路电流，可以降低对衬底的要求，低品质的薄基硅片更能体现
MWT和EWT太阳电池结构的优越性；(4)实现从电池的前结和背结双结共同收集电荷，故有很高的电荷收集率。此外，薄的硅片因为减少了电荷的传输路径，降低了孔电阻，也可以提高电池的填充因子。激光打孔技术应用

工成本下降空间较大等。由于此项工艺采用水和少量冷却液替代了传统的砂浆润滑剂，不仅使有机物COD排放量降低了70%以上，切割的硅片更加薄，更使光电转换效率提高0.1%左右，这势必使生产成本得到较大幅度的下降
成本降低了2%。在使用方面，高光电转化率就可以在有限面积的屋顶上发出更多的电。目前，行业内平均水平60片电池组一般功率为245瓦左右。改进工艺后，晶澳每个电池组比同类产品功率高10瓦。在晶龙集团硅片制造部二

逐渐改善，公司的资产负债状况将持续优化。目前，从事光伏组件、电池、硅片的上市公司有海润光伏、向日葵、天威保变和超日太阳等。机电设备方面，阳光电源生产光伏逆变器，在业内拥有极高的市场占有率，光伏设备生产商
情况下，分析师预计2012-2014年摊薄EPS分别为-0.05元、0.17元和0.48元，对应PE 分别为-114.5倍、36.9倍和13.2倍。公司业绩拐点仍需等待，但作为A股龙头将在行业整合中受益

华氏度的温度融化岩石，而所用电力通常都来自火力发电厂。随着投资和技术开发以及安装面板的数量急剧上升，新光伏组件的能源成本已经下降。更薄的硅片被用于制造太阳能电池，纯度不太高的材料被作为硅原料来使

层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高
太阳能电池的竞争力。常规太阳能电池由于厚度较大，光线大多被吸收，沉淀的纳米粒子几乎没起到任何作用。但对于较薄的薄膜太阳能电池，纳米粒子却发挥出了很大的作用，它们增加了光线在进入太阳能电池后的散射