良率

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2012年光伏企业高管辞职录来源: 发布时间:2012-10-09 10:02:59

。Solarbuzz高级分析师廉锐告诉记者,目前在中国市场,普遍存在组件商压材料商的情况,由于价格波动,采购合同变更频繁。而多晶硅的采购合同毁约率也相当高,自2008年以来,撕毁的合约不计其数,目前仍然
业务,其后随着赛维 LDK的迅速发展,邵永刚成为执行董事和战略执行副总裁;朱良保有15年以上贸易公司管理经验,为常务副总裁可以说邵永刚属于赛维的核心管理层,事实上他对赛维的贡献也确实非同小可。邵永刚凭借

PV Taiwan太阳能展:茂迪四策略整并/联盟/效率/管理来源:精实新闻 发布时间:2012-10-03 23:59:59

,而太阳能电池产业成本下降的努力则反应在以及效率上,故良效提升很重要。而在管理加值的部分,张秉衡表示,相对于中国厂商,中国制造商享有生产/人力/燃料成本较低的优势,但台湾在管理能力的增值效应上,则相对于其它国家具有优势。

券商研判:8只光伏股迎利好来源: 发布时间:2012-09-26 14:44:59

:2012-08-21盈利预测及投资评级:公司业绩低点已经非常明显,3季度蓝玻璃放量时点虽有所推迟,但最大的风险--基本没有问题,下半年在蓝玻璃、单反单电、coverglass的推动下,业绩反转较为明确,我们将公司

晶科光伏“回马枪”:销售份额从3%上升至30%来源: 发布时间:2012-09-21 10:01:14

硅部分的成本主要取决于3个方面:电池片效率、组件和封装损失,而晶科在这3个指标上都保持了极佳的数据。据悉,晶科全自动生产线的组件可以达到99.5%以上。尤其是随着劳动力成本的提高,全自动

晶科杀出光伏“回马枪”来源:中国科学报 发布时间:2012-09-21 09:08:22

商品来说,生产工艺和合格率都会影响到成本。 据悉,非硅部分的成本主要取决于3个方面:电池片效率、组件和封装损失,而晶科在这3个指标上都保持了极佳的数据。据悉,晶科全自动生产线的组件

高倍聚光光伏业深陷高成本困境来源:东方早报 发布时间:2012-09-21 08:58:02

在一块指甲盖大小的多结三五族光伏电池上,通过光电转化进行发电。该技术所标榜的最大特点是:光电转化率高,占地少;高温下发电效率衰减慢,日发电量高。 国泰君安新能源行业研究员侯文涛说,虽然优点
不少,但由于高倍聚光光伏相对晶硅路线是新技术,电力投资商需要一个认知过程。 成本拆解 现在的问题是,光伏企业中采用这一技术路线的太少。蓝特光学股份有限公司销售部经理姚良说

晶科太阳能杀出光伏“回马枪”来源:科学时报 发布时间:2012-09-20 23:59:59

欧美和日本企业差。钱晶对此很自信。一般来说,电池片的效率代表着一家企业的技术水平。但对于规模化生产的商品来说,生产工艺和合格率都会影响到成本。据悉,非硅部分的成本主要取决于3个方面:电池片效率、组件
和封装损失,而晶科在这3个指标上都保持了极佳的数据。据悉,晶科全自动生产线的组件可以达到99.5%以上。尤其是随着劳动力成本的提高,全自动生产线在降低人工成本上的优势愈加明显。因此,即使同讲究

国际太阳能光伏技术路线图2012版来源: 发布时间:2012-09-19 10:56:52

E35(计算)、E10(利用率)、E79(效率)的标准拥有成本(CoO)计算模型。主要需要考虑的要素包括产出量、生产能力、折旧、空间、材料/耗材、水电、废物处理、劳动力以及损失。假设先进设备的
和改进。水电部分的成本在晶体硅、电池和组件制造中占有很大的比例。的损失也会影响晶体硅、电池和组件制造的成本。劳动力的成本取决于生产线的自动化程度。总体来说,除了材料、耗材、水电外,设备价格以及劳动力是未来光伏产业链成本进一步下降的重要因素。

太阳能背接触光伏组件技术的研究来源:SEMI 发布时间:2012-09-18 23:59:59

增加加工。ECN Solar开发了制造太阳电池组件的新工艺,效率比较高,互连工艺中的电池片破损少。另外,该组件制造工艺也适合用于薄硅片,能显著降低成本。这一组件工艺是基于背接触MWT电池和导电背板
索比光伏网讯:PV组件的功率输出由电池效率和组件内的光及电阻损失决定。组件制造过程的良率由发生的(特别是在互连工艺中)电池破损决定。为了实现大大降低太阳电池组件成本,必须提高组件效率、减少材料成本并

流化床反应器中太阳能级硅制造来源:SEMI 发布时间:2012-09-18 23:59:59

(i+1)中。因此,尺寸间隔(i-1)的质量首先开始衰减,接着是尺寸间隔i,如此等等。灵敏度分析通过研究工艺变量(如流速和硅烷浓度)对稳态时微粒生长和损失的影响,可从一个更好的视角看到多尺度模型
关系。在反应器高度上通过综合非均相反应和清除率,浓度剖面和细粒子形成速率决定了群体平衡模块所用的淀积速率。图3显示,硅烷及硅蒸汽浓度在反应器的入口处变化很快。浓度剖面中的初始平台是由于反应器入口的温度低