脱欧
磁场中直拉硅单晶的生长(一)来源：峨眉半导体 发布时间：2007-06-12 22:53:41
。也就是说，磁场强度增大时，哈脱曼数增大，相应的临界瑞利数亦增大。在磁场强度为1500高斯时(熔硅的动粘滞度为3 x 10-3gcm2 sec-1,导电率为128609/欧.厘米，可估算出NRa约为
磁场强度的临界瑞利数超过10的7次方，则热对流就会显著减少。
NRa与无量纲哈脱曼数M有关，近似于下列方程:
式中，P为熔硅为磁导率，H为磁场强度，0为电导率，P为硅熔体的密度
