背面钝化

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂
多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构的应用，两者形成接触钝化结构，可以大幅提升 N 型电池片的 VOC 和转换效率。 另外根据《中来股份 N 型单晶双面 TopCon 技术与产业

池时代。目前，常规 Al-BSF 单晶电 池的效率大概是 20-20.3%，对应的组件功率为 280W，主要的效率损失来自于 背面全金属的复合。因此，背钝化电池结构 PERC 应运而生，与常规电池
相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层， 因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化

使用叠瓦技术的组件厂少而慢慢销声匿迹。 韩华钝化技术专利 韩华针对晶科、隆基和REC的技术诉讼可谓2019年一大新闻。 这场由钝化技术引起的专利纷争始于2019年3月：韩华向德国起诉晶科和REC
会有至少2%以上的功率损失。若能对这部分无效光加以利用，将将电池片间的漏光反射回组件中，将有效提升组件功率。行业中各种技术丛出不穷，如组件背面使用高反背板、高反背玻璃、白色EVA胶膜等提出诸多

。 异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是
高双面率后背面增益更大，按60版型计算，有效功率多出10W。理论溢价2分。 五、升级空间大：纯粹的HIT电池效率极限预计在25.5-26%，再往后走叠加钙钛矿做叠层电池效率可以做到28%，目前英国牛津

，P型多晶组件的首年衰减则一般按£2.5%来质保，电池均无需经过再生处理。 二、PERC组件的光衰处理 P型PERC技术对晶硅电池背面做钝化，电子需要扩散更长的距离经过激光开槽处才能传输到背面的铝

见的PERC电池(背面Al2O3/SiNx(SiO2)叠层钝化)、TOPCon电池(SiO2和多晶/微晶硅层钝化)、异质结电池(氢化本征非晶硅钝化)结构的产生均受钝化接触思路的影响，而异质结电池结构是

核心方法，但是在PERC电池和HJT电池制备工艺中却对应着截然不同的PECVD设备(前者为场钝化、后者为化学钝化)，这也是HJT电池制备与PERC电池生产线不相容的根本原因。印刷和制绒相对来说变动较小
平行化、PECVD和PVD的单个承载工艺、在线工艺和通过合理系统设计缩短工艺周期。例如，在INDEPtec的技术里，单个空腔承载允许硅片处在同一个承载上，前表面和背面a-Si:H可以同时进行沉积，即

、降低制备成本并提高晶圆基板的使用寿命;利用先进电池模块原型制造设施，来提高发射极和背面钝化电池(PERC)制造工艺水平，降低生产成本;针对背接触的CdTe太阳电池开发高性能背接触材料和工艺，以在减少
电池性能;III-V族太阳电池衬底的回收再利用技术研发，降低制造成本;开发高性能的发射极和背面钝化CdTe电池，并研究其局域的载流子动力学行为;开发新型、低成本、环保型的天然石英石转变高纯硅的生产技术

商业化应用前仍然有许多挑战需要解决。此外，新型电池架构的出现，如双面进光太阳电池、钝化发射极背面接触电池(PERC)等，使得获得更高光电转换效率水平成为可能，给晶硅电池市场带来挑战，推动市场发生

PERC技术 PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。常规BSF电池由于背表面的金属铝膜层
中的复合速度无法降至200cm/s以下，致使到达铝背层的红外辐射光只有60-70%能被反射，产生较多光电损失，因此在光电转换效率方面具有先天的局限性;而PERC技术通过在电池背面附上介质钝化层，可以