背钝化

加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦;同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。 据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其

效率最高的电池。 该电池采用交错背接触结构(IBC)，正负电极均采用多晶硅氧化层(POLO)技术实现钝化接触。普通双面电极的电池在使用钝化接触(包括HIT在内)时，虽然提高了钝化效果和电压，但由于钝化

流向背表面复合。 背钝化系列：三类背钝化(PERC/PERL/PERT)结构的共有特点是在传统铝背场的基础上增加了钝化层，更好地阻挡电子在背表面复合。PERL和PERT是PERC的加强版，因为在加钝化

的30%。近年来，湿法黑硅(MCCE)、背面钝化(PERC)、异质结电池(HIT)、全背电极接触晶硅光伏电池(IBC)技术、N型双面等一批高效晶硅电池技术不断涌现，为未来的降本之路打开通道。

/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。 这样的结构有以下三个优点： (1)降低串联电阻，提高填充因子 电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极
接触电阻和背场体电阻组成。 其中，在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。 根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrier height)和表面

作为基底，前表面是n+的前场区FSF，背表面为叉指状排列的p+发射极Emitter和n+背场BSF。前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化层。正面无金属接触，背面的正负电极接触区域也呈叉指状排列

、硅片体电阻、背电极接触电阻和背场体电阻组成。 其中，在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。 根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrier
height)和表面掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。 (2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果 当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的

相继推出并应用了金刚石线径细线化、大尺寸硅片、硅片薄片化等各类领先技术，电池片、组件生产领域先后推出并主要应用了黑硅技术、PERC背钝化、半片、双面双玻等先进技术的应用。随着各类技术及产品的持续升级

太阳能相关器件，希望利用自己的专业知识解决全球能源问题。现在称为TOPCon的隧穿氧化钝化技术，就是我的博士论文课题。此外，目前应用广泛的PERC技术，我也是发明人。 从80年代起，陆续有中国留学生
国内光伏组件产能严重过剩，大批企业陷入困境的情况下，张凤鸣成立了南京日托光伏科技有限公司。他希望开发出一种差异化、难以被复制的高效太阳能电池技术，这也是MWT背接触专利的由来。 今年的SNEC