背结太阳能电池

的原因1）去边不彻底、边缘短路2）去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路3）烧结不良，正电极或背电极与硅片接触不良，串联电阻增大4）烧结过度，即将使PN结烧透，短路以上几种有可能在分选
。在这些场所，不可避免的会出现建筑物、树荫、烟囱、灰尘、云朵等对太阳能电池组件造成遮挡。因此，人们关心的是此类情况对太阳能电池的发电效率影响有多大，又该如何解决。在实际应用中，太阳能电池一般是由多块

索比光伏网讯:伊藤技研「Armor999」的API系印刷浆料在背接触太阳能电池片的电极间起到绝缘作用。比传统的太阳能背膜效果更完美，由于浆料是液态的，通过丝网印刷工艺，印刷在电池片上，浆料在没有固化

伊藤技研「Armor999」的API系印刷浆料在背接触太阳能电池片的电极间起到绝缘作用。比传统的太阳能背膜效果更完美，由于浆料是液态的，通过丝网印刷工艺，印刷在电池片上，浆料在没有固化前会自然流平
back contact)电池出现于20世纪70年代，是最早研究的背结电池，最初主要应用于聚光系统中，见图l。电池选用n型衬底材料，前后表面均覆盖一层热氧化膜，以降低表面复合。利用光刻技术，在电池背面分别

兴起做出贡献的低成本（成本/Wp）技术的主要推动力。特别是近十年来，背接触太阳能电池的概念（如交指式背接触（IBC）、发射极环绕穿通（EWT）和金属环绕穿通（MWT））已被考虑，并开发在工业中应用
进一步提高电池与组件效率和降低成本，我们已经把n型掺杂晶硅的长处与我们的背接触MWT太阳能电池技术结合起来，与英利太阳能合作开发高效n型MWT晶硅太阳能电池（n-MWT）。本文在简要地说明n型晶硅材料和

旗下具有背印刷触点的N型SPARC太阳能电池等。 　　天合光能在2011年分别获得了单晶硅电池20%和多晶硅电池19.6%的转换率。 　　但是，正如图一所描绘的，天合光能直至2010年才真正
1860万美元翻一倍，增至2011年的4410万美元。公司将业务重点放在了太阳能电池制造工艺之上，包括钝化和镀膜技术等。与英利绿色能源相似，公司近几年的重心也放在了对于单晶硅产品产能开发之上，如天合光能

开发之上，如天合光能旗下具有背印刷触点的N型SPARC太阳能电池等。天合光能在2011年分别获得了单晶硅电池20%和多晶硅电池19.6%的转换率。但是，正如图一所描绘的，天合光能直至2010年才真正
投资由2010年的1860万美元翻一倍，增至2011年的4410万美元。公司将业务重点放在了太阳能电池制造工艺之上，包括钝化和镀膜技术等。与英利绿色能源相似，公司近几年的重心也放在了对于单晶硅产品产能

(TiO2/P3HT)异质结的杂化太阳能电池，这种无机-有机杂化太阳能电池构造简单，制作容易，在紫外光辐照(标准光强)下其光电转化效率为1.28%，紫外光响应的杂化太阳能电池的成功研制将拓展太阳辐射的

光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高

%，p型磁场直拉单晶，4cm2)，Sunpower公司的背结背接触电池(24.2%0.7%，n型CZ单晶，155.1cm2)和松下的HIT电池(23.9%0.6%，n型，102.7cm2)。 松下