背结太阳能电池

一线电池生产商们如晶澳、天合、韩华、英利、晶科、昱辉、尚德电力、中电光伏、京瓷、夏普等各自开发新的技术路线，如高效低浓度扩散电池、背钝化结构、MWT背接触电池、IBC背接触电池、HIT等。作为电池生产

实施本项目。4、主要建设内容本项目拟新增研发和分析实验设备共计32台/套，其中包含激光开孔设备、背面钝化设备、湿法刻蚀设备、掺杂系统等进口研发设备17台/套，去背结/PSG清洗设备、扩散炉等国产研发设备
彩印及复合包装产品的生产和销售，同时兼营酒店和投资担保业务转变为太阳能电池用单晶硅棒/片、多晶硅锭/片、太阳能电池片、组件的研发、生产和销售及光伏电站的投资开发。2、光伏行业整体发展背景（1）产业政策

掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/N结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面
新产品普遍都超出这个值。实验室成果普遍在 20%以上。用于宇宙空间站的还有高达50%以上的太阳能电池板。多晶硅太阳电池单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在

扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成P/FONTN结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线
。用于宇宙空间站的还有高达50%以上的太阳能电池板。 多晶硅太阳电池 单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳电池生产总成本中己超二分之一，加之

成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。 　　2.HIT异质结高效N型硅太阳能电池 　　所谓HIT结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化
开路电压和填充因子较低，并且长期使用或存放时N型硅片太阳能电池性能会有所退化，而在P型硅片上形成N+发射结比在N型硅片上形成P+发射结在工业化生产上更容易实现。目前主流P型硅太阳能电池转换效率已经可以

的光照。和单侧光照射的构造相比，年平均增加6%-10%的输出。3、发射结钝化一全背场扩散（PERT）N型硅太阳能电池最早由赵建华设计的一种N型硅太阳电池。面积为22cm2的N型FZ单晶硅太阳电池效率达

隧道导电结构的过程解释不同。而国内对于正银机理的探讨有见报道的主要是杨云霞教授及昆明诺曼。 硕禾作为市场新贵，通过前期的铝浆及背银的沉淀，其所需的市场客户关系及原料供应都很充分，而且基于台湾的优势
粒子多，但又不能过分长大结晶而对PN结造成损伤。这时候我们结合棒子这个O环境来对比下铅碲和铅钒体系的不同，铅碲体系中碲本身就属于O族体系，简单原理来想也要比这个单纯高铅体系玻璃溶银能力强的，但毕竟碲本身

过程解释不同。而国内对于正银机理的探讨有见报道的主要是杨云霞教授及昆明诺曼。硕禾作为市场新贵，通过前期的铝浆及背银的沉淀，其所需的市场客户关系及原料供应都很充分，而且基于台湾的优势应该也是得到了杜邦的
玻璃隧道导电层，对于这个玻璃层厚度是由08年那篇专利所描述玻璃流动特性决定的，这时我们需要的是这个玻璃层内的银纳米胶体粒子多，但又不能过分长大结晶而对PN结造成损伤。这时候我们结合棒子这个O环境来对比

应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短
研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火

、自然保护与核能安全部支持进行。这款太阳能电池基于N型太阳能电池技术制造，不同于现有大部分商用P型太阳能电池。Fraunhofer ISE宣称，磷掺杂N型硅是极为卓越的太阳能电池材料。由于N型背结前接触