背结太阳能电池
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
扩散或者离子注入重掺杂形成n+背场，n+背场与n-Si基体接触形成n+-n高低结。p+-n结和n+-n高低结内部都存在内建电场，可以分离光照产生的电子-空穴对，被分离的电子通过背场上面的背电极、空穴通过
时间才能完成各项优化，当然也需要对整条太阳能电池生产线进行优化，而并不仅仅是对背表面沉积和激光开背等工艺进行优化。太阳能电池生产线上的每一步骤均需相互配合。PERC技术并非即时解决方案，而需要时间来完成转型
单位产能硅耗少、切割效率高、辅材成本低和可切割薄硅片等优势。目前单晶硅太阳能电池由于硅片端金刚线切片技术的普及，成本快速下降，在此背景下多晶硅行业尽快引入金刚线切割工艺显得尤为紧迫。而金刚线切割
合作开发氢钝化技术，能将多晶PERC电池片光致衰减比率降为零。HIT太阳能电池技术HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积
%，处于全球领先水平，部分企业生产的N型电池平均转换效率达到22.9%。钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光、等技术路线加快发展，部分技术开始批量生产；光伏组件封装及抗光致衰减
关键的材料，占晶硅太阳能电池总成本的14%左右。目前国内铝浆供应已经完全实现国产化，国内背银市场由外资企业主导地位的局面已经被打破，而正面银浆尚未实现国产化替代，供应商仍以外资企业为主。未来，光伏浆料
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
切割工艺，具有单位产能硅耗少、切割效率高、辅材成本低和可切割薄硅片等优势。
目前单晶硅太阳能电池由于硅片端金刚线切片技术的普及，成本快速下降，在此背景下多晶硅行业尽快引入金刚线切割工艺显得尤为紧迫
的柔性薄膜太阳能电池拥有4项世界纪录。其中，铜铟镓硒有两项，GSE柔性共蒸法薄膜电池量产芯片小尺寸冠军效率17.2%;MiaSolé多元素溅射法柔性单串组件效率17.3%。另外，汉能美国子公司Alta
Devices的砷化镓双结电池转化率达到31.6%，单结电池转化率28.8%。这些转化率水平目前均位列全球第一。除了移动能源产品外，汉能薄膜发电产品已经广泛应用于光伏建筑一体化(BIPV)、户用发电
(PERC、黑硅、IBC、HIT)、组件(单晶、多晶、智能)、系统(1500V、跟踪支架、农光、渔光)的降本增效技术都可以叠加在双玻技术平台上面。5)IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极
金属接触均移到电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池
、IBC、HIT）、组件（单晶、多晶、智能）、系统（1500V、跟踪支架、农光、渔光）的降本增效技术都可以叠加在双玻技术平台上面。5）IBC电池（全背电极接触晶硅光伏电池）是将正负两极金属接触均移到
电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6）HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上
、智能)、系统(1500V、跟踪支架、农光、渔光)的降本增效技术都可以叠加在双玻技术平台上面。5)IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面
呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶
匹配性。
IBC电池
IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术，使面朝太阳的电池片正面呈全黑色，完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来
