背接触

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组件“1元+”时代 哪些技术将成为主流?来源:SOLARZOOM 发布时间:2018-07-06 09:50:46

虽然在结构上看起来非常复杂(它在二氧化硅层之外多加了一个高掺杂性多晶硅层,还提供了可选择性接触,还要添加一些薄膜技术在内),仍是一个里程碑式的意义,颠覆了P型电池转换率的极限。此外,TOPCon结合背结

主流光伏技术的光电转换效率平均水平是多少?来源:国际能源小数据 发布时间:2018-07-06 09:33:15

PERC电池行业内的平均效率在21.3%-21.8%左右, 不过,这还与世界最高纪录相差很大2017年日本KANEKA公司的Yoshikawa等人以一种基于叉指接触(IBC)技术和异质结钝化技术(HIT
)的新型叉指接触异质晶硅太阳能单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术,实现多晶转换效率达22.3%。

P型单晶电池黑斑怎么产生的?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-04 09:32:54

单面镀膜SiNx∶H钝化,以及背面电极、背面电场和正面栅线电极印刷,最后经过高温烧结形成较好的欧姆接触。 利用苏州中导光电设备有限公司生产的红外缺陷测试仪EL-S01对生产线上电池片进行测试
载流子不能被电极有效收集,导致该波长附近的电池量子效率比较低。与此同时,波长较长的光是被电池的主体吸收的,这一部分光产生的光生载流子需要迁移到空间电荷区才能被电极收集,在迁移过程以及背表面都会对载流子

效率超过20% 量产PERC电池是怎样炼成的?来源:孙恩来 发布时间:2018-07-03 15:18:15

激光工艺在AI2O3/SiNx叠层上划开一系列凹槽可以实现铝与硅片的接触。凹槽图案是预先设计好的,电极只能透过凹槽才能实现与硅片的接触。而重P+掺杂区域正好处于开槽区域下面,因此形成了所谓的局部背表面场

PERC技术 | 从机理、工艺、技术、难点、性能全方位解析PERC电池来源:韩华新能源 发布时间:2018-07-03 15:13:31

金属接触,有效降低背表面的电子复合速度,同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术,而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
,最早在1983年由澳大利亚科学家Martin Green提出。PERC近年来效率记录不断被刷新,将成为未来三年内最具性价比的技术。 PERC电池与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化,采用局域

平价上网的“杀手锏”:中来股份领衔N型电池技术升级来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-03 10:56:41

,中来N型双面TOPCon电池背面采用多晶硅隧穿电极接触结构,正反两面均由覆盖SiNx减反膜,金属化由丝网印刷完成,由于两面栅线结构都是常规的H型,因此TOPCon电池不仅正面可以吸收光,其背表面也能从
达到330W以上,最高可达335W。据了解,TOPCon是目前光伏行业广泛认可的一个高效技术方向,具有易兼容现有N-PERT产线、显著降低电极接触区域复合速度、获得更高Voc等优势。 值得注意的是

英利联合举办光伏技术发展风向标大会来源:索比光伏网 发布时间:2018-07-02 13:52:16

光伏组件的需求。 随后,宋登元博士全面论述了近年来晶体硅光伏技术的进展,特别是英利研发的高效熊猫电池、新型TOPCon钝化接触电池、双面IBC接触电池的技术的研发和产业化情况,总结了晶体硅太阳电池的

改善多晶硅背钝化电池缺陷 解决电池片EL区域发暗 提升电池片效率来源:太阳能杂志 发布时间:2018-07-02 10:10:16

内容摘要 介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺,在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗,严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火

从Al2O3钝化层看单晶PERC关键工艺优化来源:太阳能杂志 发布时间:2018-06-28 10:46:11

将硅片的有效载流子寿命由10~20s提高到100~120s,同时利用激光对Al2O3/SiNxHy层叠薄膜进行局部开孔,使铝浆能通过孔洞与硅片形成良好的欧姆接触。本文研究工业生产中工艺参数与PERC电池
增加到25nm后,电池转换效率反而有所降低,尤其填充因子降低明显,这可能是后续工序的激光能量偏低,对开膜部分的Al2O3薄膜清除不彻底,影响了铝浆与硅片之间的欧姆接触而导致。 3 烧结曲线对电池片

硅基太阳电池及其所用正银浆料概述来源:太阳能杂志 发布时间:2018-06-28 09:27:56

完全接触,而PERC 太阳电池铝背场是通过激光开窗的空洞区域与硅片进行局部接触。 图3 为n 型晶体硅太阳电池结构示意图。n型晶体硅太阳电池较p 型晶体硅太阳电池具有少子寿命高、光致衰减小等