背接触

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财政部力挺太阳能节能建筑 12股迎历史机遇来源:证券市场红周刊 发布时间:2012-09-10 09:38:28

)看好公司拓展太阳能背材膜等高端薄膜 买入 投资要点: 净利润同比增长40.7%,利润分配方案每10股派发股利2.0元,并每10股转增10股。2010年公司实现销售收入2.5亿元,同比
,将显著提升今年业绩。 看好公司太阳能背材膜项目,明年产能释放后业绩将呈爆发式增长。预计2011年国内太阳能电池背材膜需求量约达7万吨,国内产量约1.5万-2 万吨,主要厂家为常州裕兴和四川

欧盟双反杀伤力难料 川企积极应对开拓多元市场来源:四川日报 发布时间:2012-09-07 09:29:47

万元左右降至14万元,近期正加强开拓国内市场。天威新能源控股有限公司总经理尹晓南表示,经过多年技术公关,他们已完全掌握了高效接触电池的生产技术,相对常规多晶电池片,转换效率提高了1个百分点,成本降低
了5个百分点。目前应用这一技术的高效接触组建生产线已安装完成,正在设备调试阶段。 二是依托下游产业链,扩大市场规模。高端电池和组建生产销售,将是天威新能源的重要突破口。 业内人士建议

太阳能光伏产业正迈入PV 3.0时期来源: 发布时间:2012-09-03 11:03:23

,透过技术转移或共同开发,快速提升自身的技术实力。综观下一波主流的高效率电池技术,包含接触电极(Interdigitated Back Contact, IBC)、选择性射极(Selective

太阳能产业正迈入PV 3.0时期来源:世纪新能源网 发布时间:2012-09-02 23:59:59

的高效率电池技术,包含接触电极(Interdigitated Back Contact, IBC)、选择性射极(Selective Emitter, SE)、MWT(metal Wrap

国产高效晶体硅电池-尚德冥王星来源: 发布时间:2012-08-30 11:09:59

扩散)电池,这种电池的实验室最高记录是由赵建华博士于1999年实现的,其包含并不限于典型的选择性发射极(SE)技术。② 激光制绒,以达到均匀性最好的表面倒金字塔形貌。钝化背发射极(降低复合速率,延长少子
寿命)、背面点接触(减少与硅基接触,降低复合速率)这些,都是已经运用非常广的技术。③ 真空蒸镀栅线后再加以电镀,提升均匀性及高宽比。Pluto的栅线相比普通的丝网印刷栅线要窄:丝网印刷栅线的高宽比典型

【光伏技术】8.1 国产高效晶体硅电池-尚德冥王星(Pluto)来源: 发布时间:2012-08-30 10:09:57

发射极背部局域扩散)电池,这种电池的实验室最高记录是由赵建华博士于1999年实现的,其包含并不限于典型的选择性发射极(SE)技术。② 激光制绒,以达到均匀性最好的表面倒金字塔形貌。钝化背发射极(降低复合
速率,延长少子寿命)、背面点接触(减少与硅基接触,降低复合速率)这些,都是已经运用非常广的技术。③ 真空蒸镀栅线后再加以电镀,提升均匀性及高宽比。Pluto的栅线相比普通的丝网印刷栅线要窄:丝网印刷栅

【光伏技术】影响晶硅太阳能电池转换效率因素剖析(图)来源: 发布时间:2012-08-29 10:52:48

28%。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面,如图1所示:(1)光学损失,包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收
损失。(2)电学损失,它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻,以及金属和半导体的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合,它直接影响太阳能电池的开路电压。光生

【光伏技术】7.11 高效晶体硅太阳能电池-日本京瓷(Kyocera)的高效多晶硅电池来源: 发布时间:2012-08-27 16:00:00

,背面重扩散达到吸杂的效果,以提高电荷的收集率。1996年效率达到17.1%,到了2004年,233cm2大面积多晶硅电池效率达17.7%。去年利用接触型结构达到18.5%的效率(面积为150mm* 155mm,采用黑色背板,减小布线的宽度,使模块整体呈黑色)。已实现商业化。(作者:和海一样的新能源)

日本京瓷(Kyocera)的高效多晶硅电池来源:中国新能源网 发布时间:2012-08-27 10:28:11

%。 去年利用接触型结构达到18.5%的效率(面积为150mm* 155mm,采用黑色背板,减小布线的宽度,使模块整体呈黑色)。已实现商业化。

【光伏技术】高效晶体硅太阳能电池-日本京瓷(Kyocera)的高效多晶硅电池来源: 发布时间:2012-08-27 10:01:17

,背面重扩散达到吸杂的效果,以提高电荷的收集率。1996年效率达到17.1%,到了2004年,233cm2 大面积多晶硅电池效率达17.7%。去年利用接触型结构达到18.5%的效率(面积