背接触电池
，1500V系统电压组件的研究项目，切片组件提升功率的研究项目，PERC背钝化浆料技术的研究项目，晶硅太阳能电池TMAH背抛光工艺的研究项目等五个项目的研究。高效黑硅多晶组件的研究项目处于工艺调整阶段。 主流
是光伏组件、逆变器、电缆和设备防雷。
光伏组件监督重点：
电池织件封装而完好无损，清洁受光均匀，无突出影响 光强的污块，确保绝缘良好，无接地现象。
组件背而引出线无损伤，引出部位封装良好，在绝缘
大于3%，则需要检验逆变器转换效率是否达到设备性能要求;
3、 各光伏方阵是光伏电站电量损耗的易发节点，主要包含了电池组件失配、功率衰减、温升损失、MPPT跟踪损失、灰尘污渍遮挡损失、直流电缆线损
)电池，是光伏行业广泛认可的一个高效技术方向，具有易兼容现有n-PERT产线、改善PERC电池背面电流集聚现象、显著降低电极接触区域复合速度、获得更高Voc等优势。 英威腾 研发技术包括矢量变频器，在
10～20s提高到100～120s，同时利用激光对Al2O3/SiNxHy层叠薄膜进行局部开孔，使铝浆能通过孔洞与硅片形成良好的欧姆接触。本文研究工业生产中工艺参数与PERC电池转换效率之间的关系，分析
有所降低，尤其填充因子降低明显，这可能是后续工序的激光能量偏低，对开膜部分的Al2O3薄膜清除不彻底，影响了铝浆与硅片之间的欧姆接触而导致。
3 烧结曲线对电池片性能的影响
3.1烧结温度对铝硅合金层
没有形成良好的欧姆接触产生较大的Rs值。
Fig.3-5扩散异常
3.3.2镀膜异常
铝背场(BSF)能够降低电池片背面的少子复合，提高少子扩散长度;反射长波段光子，提高长波段的光谱响应
铝背场，且铝电极也无法与硅形成良好的欧姆接触，最终形成此类低效电池片。
3.3.3烧结异常
附表4是电池片的IV数据，可以看出其Rs非常高，Fig.3-7为电池片的各种测试结果，通过扫描
采用较窄的(~40 m)印刷银栅线，并在背面采用印刷铝栅线，而背面可以与发射极相连。通过为背接触层使用铝(而非银铝合金)，每块电池的成本可以降低0.01美元/Wp。一批M2电池(面积为244.3
路线图ITRPV 2018预测，N型硅片的市场占有率将持续增加，2020年近10%，2028年将达28%。 据业内人士介绍，N型晶硅电池主要包括N-PERT/N-PERL电池、叉指状背接触电池(IBC)和
铝背场技术升级到PERC(钝化发射极背面接触)技术。首先，这是正常的技术进步：只需增加两道工序即可对现有系统进行升级，从而将太阳能电池片的输出功率提高1%(绝对数)或5%(相对数)。 铝背场技术的
双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商协助优化下，逐步降低背栅线宽至目前100微米;在背栅线宽下降同时进行背栅数量优化降低背遮光面积，并配合不同性能铝浆实验，降低接触电阻，提升电池效率及双面率。
致衰减等天然优势，是高效电池技术路线的必然选择，也是光伏行业正在进入大规模生产的新一代电池技术。 N型晶硅电池主要包括N-PERT/N-PERL电池、叉指状背接触电池(IBC)和异质结电池三大类
