肖特基

发电机的阴极被集成在同一块硅片上。在测试时，集成发电机置于模拟太阳光照下，其下部纳米发电机单元处于超声波发生装置中。由于超声波的驱动，氧化锌半导体和金属电极之间的肖特基势垒（指具有整流特性的金属—半导体
似的并联集成发电机中，太阳能电池单元和纳米发电机的阳极被集成在同一块镀铂的硅片上。在同样的测试条件中，并联结构使电子在纳米发电机肖特基势垒区域积累，致使阴极阳极间的费米面能级被重新调整。实验结果表明

太阳光照下，其下部纳米发电机单元处于超声波发生装置中。由于超声波的驱动，氧化锌半导体和金属电极之间的肖特基势垒（指具有整流特性的金属半导体接面）则能控制电荷的积累与释放，实现机械能到电能的转化，并产生
的硅片上。在同样的测试条件中，并联结构使电子在纳米发电机肖特基势垒区域积累，致使阴极阳极间的费米面能级被重新调整。实验结果表明，并联集成发电机可以将纳米发电机的输出电压从几个毫伏提高到几百个毫伏，它

　　三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件，驱动了功率因数校正器（PFC）。 　　GaN作为性能

。 　　电源模块由转换器和逆变器构成。使用了罗姆的SiC“肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）”和MOSFET。电源模块的耐压为1200V，输出电流为230A。 　　罗姆不仅与本田

额定电流为8A的STPSC806D和10A的STPSC1006D，用于600V电源的应用，现已量产，采用业界标准TO-220AC封装。 电源转换使用的普通硅二极管因无法立即关断，会损耗1%的电源效能。全球功率半导体大厂商意法半导体(ST)，率先推出在转换时可降低耗电量的碳化硅二极管STPSC806D和STPSC1006D。这对于太阳能系统的转换器的效益显著，因为效能对于太阳能而言相当重要

重新整合期间出现的电流叫做反向恢复电流。当与相关的半导体电源开关上的电压结合时，这个不需要的电流会产生热量，从转换上排散出去。 透过消除反向恢复电荷，碳化硅肖特基二极管在电路板的功耗比传统的二极管低

SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC DMOS FET，以及由二者组成的SiC逆变器模块等。SiC SBD与以往使用Si的高速二极管相比，拥有即使在200℃的高温下也很少发生热失控和漏电流增大现象，且

降小的肖特基二极管做充电回路中的反向隔离保护。 b.电路板焊装工艺存在一定问题： ⑴通过大电流的导线截面积不够； ⑵电路板铜铂线条较窄； ⑶大电流焊接点存在不同

不断扩大。 在太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中
，曾引起许多研究者的兴趣。目前因效率不高等问题研究者已不多，但SnO2、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。 （5）M1S电池――是肖特基

叶林（TTP）、聚苯胺（PAm）、聚对苯乙炔（PPV）等。一般用金属电极与有机半导体之间形成肖特基势垒和产生的内建电场，离解光生激子成为自由载流子并驱动载流子在有机半导体中传输。以PPV为例，制作
面的激子才能够有效地转化为自由载流子。因而肖特基型有机太阳电他光伏特性与电极性质有关。同时金属电极透光性差，又能促使激子复合，以及金属电极表面态又是自由载流子的强复合中心，所以导致了金属／有机半导体