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南非太阳能商业化应用获新进展来源: 发布时间:2008-12-17 10:07:59

、硒组成的特殊的半导体层,在其上面再涂一层硫化镉作为缓冲层,最后再涂一层导电的氧化锌。由此制造出的太阳能板厚度仅为5微米,其转换效率比普通太阳能板高,而成本却大幅降低。这种高效低价的太阳能技术有望使家庭

科学家给太阳能板穿“外衣”以提高光利用率来源: 发布时间:2008-11-07 10:07:59

认为,给太阳能板套上“外衣”是较好的解决办法。这件“外衣”是由7层多孔材料堆叠而成,每一层材料都可以增强下一层的抗反射能力。“外衣”相当于一个缓冲地带,能够捕捉来自各个角度的光。“它可以使效率提高30

STANGL和HZB研发薄膜太阳能电池新制法来源:Solarbe.com 发布时间:2008-11-03 11:05:57

制程展示于西班牙2008年欧洲太阳光电能源会议暨展览会上。 这项新开发的薄膜太阳能电池技术名为喷式离子层气相反应法(ILGAR),于HZB研发并获得专利。ILGAR法以硫化铟缓冲层取代硫化镉。该

2008年国内高纯多晶硅产量将达4110吨来源: 发布时间:2008-08-08 10:47:59

留下了一定的缓冲时间。国内企业可以抓住这段时间完成技术探索,降低生产成本,提升未来抗御产业周期性风险的能力。 (编辑:xiaoyao)

多晶硅行业研究报告:对多晶硅行业的几个观点来源: 发布时间:2008-03-11 17:35:59

:一是欧美市场的迅速启动,尤其是美国大选对于新能源行业的重大影响值得重点关注;二是目前的电池片环节的产能利用率不到60%,成为多晶硅扩产的缓冲池;多晶硅厂属于化工联合企业,技术难度是全方位的,包括

太阳能:对多晶硅行业的几个观点研究来源: 发布时间:2008-03-03 14:35:59

; 需求是我们分析的重点,其要点有二:一是欧美市场的迅速启动,尤其是美国大选对于新能源行业的重大影响值得重点关注;二是目前的电池片环节的产能利用率不到60%,成为多晶硅扩产的缓冲池; 多晶硅厂属于

本田首次公布CIGS太阳能电池技术 令人吃惊的数据接连不断来源: 发布时间:2008-01-18 16:46:59

12.7%,2007年同一面积达到13.9%,转换效率不断刷新纪录。   本田介绍了CIGS技术的三大特点。(1)硒化工序;(2)Na的涂布工序;(3)InS缓冲层。(1)和(2)都是因为底板采用了低
需要从外部补充Na。此时利用汽车涂装时使用的喷涂器来涂布含Na的溶液。(3)的InS缓冲层虽然通常多使用CdS,此次为避免使用Cd而采用了InS。   本田正在量产的模块转换效率平均值为11.1%,最高为11.6%。试产线最高已达到12.2%,该公司计划依次向量产线移交技术。

太阳能光伏发电系统的发展为半导体行业带来新机会来源:Solarbe.com 发布时间:2007-12-05 11:40:11

方框图。原文位置   逆变器电路的基本框图如图3所示,首先,由DC/DC转换(图中没有显示DC/DC转换和调整部分)提升或降低输入的电压,调节其输出以实现最大的效率。在经过一些附加的电压缓冲之后

太阳电池绒面测量与分析-电池绒面测量来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-25 15:29:08

一般为54.7°,表面积之比 约为3。 实验中分析了绒面腐蚀溶液中作为缓冲剂 的异丙醇对电池接触
电阻的影响(如图2)。接 触电阻的测量采用传输线方法,未加缓冲剂时,接触电阻随腐蚀时间很快达到一个稳定值, 且相对值比较大,这主要是未加

(二)单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-10 14:46:18

,是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸(HNO3),氢氟酸(HF),及一些缓冲酸(CH3COCH,H3PO4)组成。         (B)碱性腐蚀,碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。   抛光