结晶硅

驱动因素是由于薄膜光伏（TFPV）内在的优点，包括低成本、重量轻和能将它们制作到柔性基质上，并且可使太阳能发电置于墙壁上、屋顶上，甚至窗户上。与许多常规的光伏采用结晶硅不同，薄膜光伏（TFPV）也能在

“2013年之前将是薄膜硅和结晶硅齐头并进，2013年以后薄膜硅将成主流”（夏普董事长片山干雄）。夏普在记者恳谈会上展示了对太阳能电池业务今后的预测。夏普指出，薄膜硅成主流的原因是“结晶硅
材料的制造和获取都非常困难。因此结晶硅的成本无法降低”（片山）。 　　鉴于上述预测，夏普决定在大阪府堺市建设一座年产能力为1GW的大规模薄膜硅太阳能电池新工厂（参阅本站报道）。建厂决定是于2007年春季

中国大陆的产能，力争3年内增至100MW的规模。Sunner Solar不仅生产单层薄膜硅太阳能电池，将来还打算生产增加微结晶硅层的串联构造薄膜硅太阳能电池。 　　爱发科07年3月曾拿下

Hemlock Semiconductor生产结晶硅材料；道康宁目前是Hemlock Semiconductor的主要股东。 道康宁、信越半导体 (Shin-Etsu Handotai) 和三菱材料

太阳能电池产业的成长力道，也加速其它种类太阳能电池技术量产化的脚步，特别在薄膜和高聚光型二种技术，由于各拥有不同的竞争优势，被视为继结晶硅后，整个太阳能产业的发展重点。 就技术方面看，薄膜太阳能电池与平面
。 不过，太阳能产业也有发展上的隐忧。胥嘉政指出，结晶硅太阳能电池目前转换效率极限为 25%，但原物料的除藏量和供给，是最大的瓶颈，虽然市场普遍预估 2010年缺料问题将可获有效解决，但仍须观察国际

技术推动的目的，提出Sunshine计划之技术发展规划，1997年前以结晶硅太阳电池为主，2000年后至今，着重于薄膜、高效率太阳电池，近年来太阳电池部分，则朝向先进太阳电池技术之开发，而系统部分

单结晶硅型及多结晶硅型太阳能电池的13～19％这一标准。 每枚模块的厂商建议价为6万375日元(含税)。因此，每1W的模块成本与多结晶硅型太阳能电池相同或稍稍便宜一些。具体来说，按日本

应用材料公司(AMAT)周二宣布，将出资4亿7500万美元收购总部位于瑞士Cheseaux的HCT Shaping Systems SA，后者主要供应用于生产太阳能电池中的结晶硅底层的

。作为结晶硅型太阳能电池单元，该转换效率已经达到顶级水平。 HIT太阳能电池是在n型单晶硅层的两面形成非晶体硅层而成。此次转换效率的提高，是通过（1）提高单晶硅层和非晶体硅层接合界面的质量；（2）对表

×0.791m×0.37m。在太阳位于天顶角48度、日照强度为1kW/m2、模块温度为25℃的条件下，最大输出功率可达125W。模块转换效率为11.2％，稍稍低于目前主流的单结晶硅型及多结晶硅型
太阳能电池的13～19％这一标准。 每枚模块的厂商建议价为6万375日元(含税)。因此，每1W的模块成本与多结晶硅型太阳能电池相同或稍稍便宜一些。具体来说，按日本普通住宅的输出功率目标——3kW来计算