结晶炉

高纯多晶硅，目前获取高纯度多晶硅主要是通过改良西门子法；二是晶体生长环节，在铸锭炉内将高纯多晶硅熔融后进行定向冷凝结晶，从而得到太阳能级多晶硅。随着全球光伏产业的快速发展，其对多晶硅需求的不断增加，从而促进多晶硅生产设备投资稳步增加，进而带动相关功率控制设备需求增加。

今后的应用。我们公司在发展高级的长晶炉技术有150年的技术，我们总部在德国汉诺，我们有真空的熔化，我们的这种设备供应领先的公司，各种各样的市场，在PV行业我们为全球的客户提供我们的服务，有各种各样不同的
长金炉，我们可以看一下我们有这样的干锅，有这样的长晶炉，整个一次送料量达到了1200公斤，我们目前已经实现了500个系统，整个装机能力是4GW，我们用我们的研发技术开发这样的技术，来进行全线的生产

索比光伏网讯:网带式红外加热快速烧结炉是生产太阳电池片的关键设备，它的性能指标直接关系到电池片的转换率、成品率以及生产效率的高低。本文着重对几个关键性能进行了探讨，并介绍了实现这些性能的设备结构。一
原子数目也越多，这时的状态被称为晶体电极金属的合金系统。如果此时温度降低，系统开始冷却形成再结晶层，这时原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延

。图1单晶炉直拉单晶硅的制备工艺一般包括：1、多晶硅的装料和熔化2、种晶3、缩颈4、放肩5、等径生长6、收尾等1、多晶硅的装料和熔化首先将高纯多晶硅粉碎至适当的大小，并在硝酸和氢氟酸的混合酸液中清洗
外表面，以去可能的金属杂质，然后放入高纯的石英坩埚中。在装料完成后，将坩埚放入单晶炉中，然后将单晶炉抽成一定真空，再冲入一定流量和压力的保护气，最后给炉体加热升温，加热温度超过硅材料的熔点，使其熔化。2

先进水平。MCS-HY800多晶铸锭炉的其他优势1.加热方式上的优点传统多晶硅 铸锭炉采用侧加热器或者侧加热器+顶部加热器，并伴随加热笼提升动作来实现结晶过程温度梯度控制;侧加热器加热虽热场对流充分，但固

和背场的硅片经过网印刷机的传送带传到烧结炉中,经过烘干排焦、烧结和冷却烘干排焦、烘干排焦烧结和冷却过程来完成烧结工艺最终达到上下电极和电池片的欧姆接触。①烘干排焦一在网带的上、下都装有加热带，由温控仪
硅。这样，Ag、Ag/Al、Al将与硅形成合金，建立了良好的电极欧姆接触，起到良好的收集电子的效果。烧结设备概述烧结传送带系统烧结炉结构烧结各温区作用烘干区：使有机溶剂脱离浆料烧结区烧结区：使电极、背

进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2 流化床法硅烷法硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅
氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国

晶炉采用德国PVA TePla为主、KS多晶长晶炉则采美国GT Advanced。由于大陆单晶硅晶圆产业发展成熟、生产成本相对低，成本不敌的台系厂对单晶扩产及量产的积极度相对低，目前除中美晶外，其它
业者均未正式投入，而中美矽晶基于成本考量仍以多晶为主，台湾在单晶领域著墨不够深，面对终端市场不断要求高效率的当下，压力渐增。友达首梯单晶长晶炉被预估年产能约200MWp左右，可以称得上是目前台湾单大的

内容。根据业内一般经验，这是为潜在的知识产权纠纷而做的准备，同时也可以为公司在国内申请各种补贴或贷款的活动加分。 　　六九硅业的多晶硅反应炉供应商，一家韩国的小公司当然也在调查的对象中。从产品的
技术参数来看，这是西门子技术的一种变种。传统西门子反应炉中的气体是三氯氢硅，还原反应的温度较高。韩国供应商的反应炉气体采用的是硅烷，反应温度可以设置地相对较低，这大概是英利一直对外表示六九硅业采用的是“全球

结晶炉（crystallization furnaces），锯台，以及铸锭处理设备，只采用一台单一的机器，需要较少的工人操作。其他初创公司，也在取代锯子，采用的一些工艺，是分离薄硅晶，就从较大的硅片上