组图

光伏组件的输出功率（实际功率）小于所有电池片的功率值之和（理论功率），我们称之为封装损失（powerloss），计算方法为：封装损失=（理论功率-实际功率）/理论功率图1 太阳电池组件封装结构如果封装损失值
，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。图2 不同厂家玻璃的透射率曲线（玻璃厚度3.2毫米）图3 不同厂家EVA的透射率曲线（膜厚1.5毫米）图4 常规电池高高方阻电池的

照时，通过太阳能充放电控制器由蓄电池组给直流负载供电，同时蓄电池还要直接给独立逆变器供电，通过独立逆变器逆变成交流电，给交流负载供电。图1 离网型光伏发电系统示意图(1)太阳电池组件是太阳能供电系统中
3.2太阳电池组件设计3.3光伏控制器选型3.4蓄电池组设计3.5逆变器选型3.6系统监控方案介绍一、系统基本原理离网型光伏发电系统广泛应用于偏僻山区、无电区、海岛、通讯基站和路灯等应用场所。系统一般由

响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波段（《450nm）的IQE是要高于常规电池的，而如果采用对短波
膜厚电池的封装对比选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶S125-D165（对角线165mm）电池制作组件（板型：49=36片串联），在板式PECVD时，调节氮化硅膜厚分别为70-75

，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

传统上大家能够接受的156的大小，180到200的厚度，一到三的电阻率，是均匀的发射极，我们在背面做了钝化工艺，大家可以看到电池的结构，这个剖面图可以看到它的结构，背面主要增加了钝化层，三氧化二铝钝化
层，有很多种方式，比如用极光开孔，有很多种方式可以去做，但是你要选择一个最佳的方式。如果从这个截面图来看，我们重点要充分利用现有的生产设备，在现有的生产工艺中增加了两个步骤，其中一个步骤主要做了背面

支撑机构2连接，通过刻度定位盘3与定位销5调节所需角度，完成后安装下一组。在矩阵太阳能发电连接时，两组相邻组件支架通过紧固压片11固定，以增强其强度，如图3所示。图2光伏组件支架螺栓固定底座图3光伏组件

一定时间，再经去离子水冲洗，最后在具有保护气体的炉中烘干，图３．４为酸性制绒实验过程示意图。目前广泛使用的酸腐蚀溶液主要是以ＨＦ－ＨＮＯ３组成，为了控制化学反应的剧烈程度，有时还加入缓和剂，缓和剂为
提高光生电流密度。图３．２扫描电子显微镜下观察到的单晶硅表面绒面出于经济上的考虑，通常用较廉价的ＮａＯＨ溶液，图３．３为１００℃下不同浓度的ＮａＯＨ溶液对（１００）晶向硅片的腐蚀速度。图３．３硅片

企业投资光伏电站是另有所图，由于全球光伏组件产能过剩，大量的光伏产品积压，组件企业需要通过下游电站带动组件销售。 　以超日太阳与天华阳光签署的两个合作开发光伏电站项目为例。超日太阳表示，公司通过
向天华阳光提供前期光伏组件和电站建设初始部分资金，预计将带动公司2012年组件销售250WM。 　据了解，超日太阳2011年组件销售量约为300-350MW。 　而除了上市A股公司，在美国

甚至要超过多晶硅组件所有环节净利润的总和。有业内人士则指出，国内企业投资光伏电站是另有所图，由于全球光伏组件产能过剩，大量的光伏产品积压，组件企业需要通过下游电站带动组件销售。以超日太阳与天华阳光签署的
两个合作开发光伏电站项目为例。超日太阳表示，公司通过向天华阳光提供前期光伏组件和电站建设初始部分资金，预计将带动公司2012年组件销售250WM。据了解，超日太阳2011年组件销售量约为

/瓦。以目前的每瓦投资收益来衡量，整个系统投资端的净利润甚至要超过多晶硅组件所有环节净利润的总和。有业内人士则指出，国内企业投资光伏电站是另有所图，由于全球光伏组件产能过剩，大量的光伏产品积压
，组件企业需要通过下游电站带动组件销售。以超日太阳与天华阳光签署的两个合作开发光伏电站项目为例。超日太阳表示，公司通过向天华阳光提供前期光伏组件和电站建设初始部分资金，预计将带动公司2012年组件销售