组件缺陷

不断扩大，产业链各环节的发展也相比初期更加完善和完整。到2011年，中国的光伏企业超过460家，这些企业主要分布在光伏产业链的中游生产环节，仅生产组件的企业就有349家。光伏产业链上下游环节出现的企业产品
下游的光伏应用系统，目前我国还没有实现比较广大范围的应用，但是其上游电池及电池组件生产环节由于技术含量低，其产品生产己经出现供给远远大于需求的状况，即出现产能过剩问题。随着科学技术水平的不断提高，我国

太阳能可替代性为主要目标，着力开发太阳能ink"光伏发电应用市场，真正做到太阳能用之于民。太阳能光伏发电技术性较高的环节一直是我国光伏产业的弱势，诸如多晶硅生产技术、太阳能电池组件生产设备的应用等。国家
政府纷纷削减对光伏产业的补贴额度，欧美各国对我国光伏产品不断进行反倾销，我国光伏产品出口阻力日益加大，产业结构失调问题越来越显著。只有开放国内光伏市场，才能消化过剩太阳能电池组件等产品，调整产业结构，走出

工艺我们发现市场上也曾推出过针对光伏组件的自清洁技术，可由于工艺缺陷导致膜层在短期内即出现失效情况，有些膜层与玻璃基底的结合力差，不仅丧失了自清洁能力，更严重的是影响了光伏组件的发电能力。实际上，自

，保护市场机制发挥决定性调节作用。 　　 　　也就是说，政府适度干预不是否定或替代市场机制的作用，而是弥补市场缺陷或市场失灵。与之相反，不当干预指的是，政府在干预经济时，出于政绩冲动、官员寻租、权力
融体系的软预算约束，使地方政府能够帮助企业获取金融资源;④由于环境产权不明晰与环保制度上的缺陷，也使得默许或纵容企业污染环境和破坏生态成为许多地方政府干预企业投资的手段。由此可见，地方政府具备了对战

/平方厘米光照下，多晶电池相对效率比单晶电池衰减更快，其差异主要由相对开路电压的差异所致。室温下多晶硅中位错网络和晶界等深能级结构缺陷复合活性随载流子注入浓度降低而升高，对饱和电流和短路电流均有影响。 浙江大学硅材料国家重点实验室原帅：光照强度对单多晶太阳电池及组件性能差异的影响

所致。室温下多晶硅中位错网络和晶界等深能级结构缺陷复合活性随载流子注入浓度降低而升高，对饱和电流和短路电流均有影响。浙江大学硅材料国家重点实验室原帅：光照强度对单多晶太阳电池及组件性能差异的影响
产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高单晶市场份额。　　隆基股份

电池组件效率在17%左右。然而，传统的单晶硅太阳能光伏产品自身的特殊性限制了它的广泛发展，主要包括冶炼过程耗能巨大（冶炼1硅耗电量400~500kWh，以硅太阳能电池发电寿命25年计算，冶炼生产过程
就要耗费硅太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m

失灵，扶持弱势产业发展，维护公平有效的市场竞争，保护市场机制发挥决定性调节作用。也就是说，政府适度干预不是否定或替代市场机制的作用，而是弥补市场缺陷或市场失灵。与之相反，不当干预指的是，政府在干预经济
企业获取金融资源；④由于环境产权不明晰与环保制度上的缺陷，也使得默许或纵容企业污染环境和破坏生态成为许多地方政府干预企业投资的手段。由此可见，地方政府具备了对战略性新兴产业进行不当干预的能力。中国

包括单晶硅和多晶硅太阳能电池两种，生产工艺成熟，技术路线稳定，光电转化效率高，市场占有率高。实验室研发的钝化发射极背部局域扩散（PREI）单晶硅太阳能电池光转化效率已达到24.7%，商品化电池组件
太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m以上才能吸收

在网上大家随处可见一些光伏组件异常的照片，例如，图1电站着火、图2接线盒烧焦、图3PID失效、图4蜗牛纹现象、图5隔离条发黄、图6背板脱层等等。大家都知道，太阳能光伏产品进入市场基本上都是通过
极个别的、非常小的电站使用了二十余年，因此我们对组件产品的全方位、全寿命段的研究非常有限。换句话说，以我们目前的经验，不足于保证组件在其全寿命段的质量。 　　 　　二、光伏组件的测试标准不完善