空穴

PLD（脉冲激光沉积法）法，在正极上涂布了厚度仅数nm～数十nm的氧化镍（NiO）。其后，通过旋转涂布法层叠了P3HT等半导体层。氧化镍层有望发挥空穴输送和电子拦截的作用，也就是半导体层在光照下产生的电子
和空穴中，把空穴高效输送至正极，同时拦截电子，减少导致能量散失的再结合。 通过研究厚度在5～77nm间的氧化镍层，发现在5～10nm厚时效果最佳，使原来3～4％的单元转换效率提高到了5.2

/立方厘米，室温电子迁移率稳定在900平方厘米/伏秒以上、达到国际先进水平，P型GaN空穴浓度达到5×1017/立方厘米,电阻率小于1欧姆厘米。在国内首次研制成功了室温连续工作的氮化镓基激光器，条宽和条长

，避免损坏PN结；二是这样的表面会吸收所有波长的光，包括那些光子能量不足以产生电子-空穴对的红外辐射，使太阳电池的温度升高，从而抵消了采用绒面而提高的效率效应；三是电极的制作必须沿着绒面延伸，增加了接触

　　受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子 　　　　Alignment Precision - Displacement of patterns
- 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。 　　　　Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together

。准分子激光退火晶化的机理：激光辐射到a-Si的表面，使其表面在温度到达熔点时即达到了晶化域值能量密度Ec。a-Si在激光辐射下吸收能量，激发了不平衡的电子-空穴对，增加了自由电子的导电能量，热电子-空穴对在

电能的转换器。其发电原理是光生伏打效应，即太阳光照射到电池上时，电池吸收光能，产生光生电子-空穴对，在电池内建电场的作用下，光生电子与空穴被分离形成电压。　　光伏电池多为半导体材料制造，目前应用最多的是

度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。 因此减少缺陷密度，可使扩散长度增加，能在CdS层内收集到

作用时，这些电子就会脱离轨道而成为自由电子，并在原来的位置上留下一个“空穴”，在纯净的硅晶体中，自由电子和空穴的数目是相等的。如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素，由于这些元素能够俘获电子，它就成了空穴型

扩散。设想在结形成的一瞬间，在N区的电子为多子，在P区的电子为少子，使电子由N区流入P区，电子与空穴相遇又要发生复合，这样在原来是N区的结面附近电子变得很少，剩下未经中和的施主离子ND+形成正的空间电荷
。同样，空穴由P区扩散到N区后，由不能运动的受主离子NA-形成负的空间电荷。在P区与N区界面两侧产生不能移动的离子区（也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层），于是出现空间电偶层，形成内电场（称内建电场）此

原因是，（1）CdS层高度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。 因此减少缺陷密度，可使扩散长度
所有的非晶有机半导体或掺杂的高分子聚合物的一个突出问题是，低的载流子迁移率，即迁移率仅约10-8到10-2cm2／Vs。一般电子迁移率低于空穴迁移率。无序有机材料荷电粒子的传输主要是通过跳跃式过程进行的