空位缺陷

。当半导体以其他材料掺杂（如硼），就有了额外的空位能够接收电子，这就是P型半导体。薄膜太阳能电池通过一层膜将N型半导体和P型半导体连接起来，这就是连接面。即使在没有光的情况下，少量的电子能够从N型半导体
已经达到了20%。由于在薄膜太阳能电池中使用了镉，所以人们担心这会不会引起健康问题。镉是一种剧毒成分，像汞一样，也可以沿食物链积累，这是任何一项技术想成为绿色革命所不可避免的缺陷。国家可再生能源实验室

生成电子空穴对，电子与Ti4+反应，空穴则与表面桥氧反应，使表面氧虚空，从而近处的Ti4+转向Ti3+，Ti3+适于游离水吸附。此时，空气中的水解离子吸附在氧空位中，成为化学吸附水（表面羟基），化学吸附水
可进一步吸附空气中的水分，形成物理水吸附层，即在Ti3+缺陷周围形成高度亲水的微区，而表面剩余区域仍保持疏水性，这样在TiO2表面构成了分布均匀的纳米尺寸分离的亲水和亲油微区，类似于二维的毛细管现象

位错相互交截而产生强化现象，其加工硬化率高。因此随着变形量的增加，其强度和硬度也随之升高。塑性变形会引起点阵畸变、空位和位错密度增加，点缺陷所引起的点阵畸变使传导电子产生散射，提高电阻率，导电率下降
，以成品厚度为0.15mm为例(1)硬态加工工艺试制。金属材料伴随着塑性变形，在金属材料中将产生各种各样的晶体缺陷，如位错、点缺陷、堆垛层错和孪晶，随着变形的增加，位错密度逐渐增高。每个晶粒内部产生

会增加，这就会增加硒的空位，从而引起相变。有时候，要解决大问题，你需要从小的地方开始，而且是非常小的地方。太平洋西北国家实验室（Pacific Northwest National
基质中的情况。根据这项研究，这个小组扩展了研究重点，确定硒化镉量子点中缺陷态的来源，缩小尺度和作用，用于相变，电子结构以及能带排列（band alignments）。他们的论文《探测尺度和环境诱发相变的

（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型 对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se
原因是，（1）CdS层高度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。 因此减少缺陷密度，可使扩散长度