离子体反应
。
中国自行研制的超导托卡马克受控核聚变装置(EAST)与美国NIF实现聚变的方式不同。目前托卡马克实现了磁束缚等离子体和中心温度1亿度，下一个目标是维持束缚，且达到1亿度维持1000秒。
位于法国南部的
通力合作ITER。ITER装置主机最重要部分之一的PF6线圈，由中科院合肥研究院等离子体所承担研制并于近日正式交付，为ITER计划2025年第一次等离子体放电的重大工程节点奠定了重要基础。
(四)高性能
(HWCVD)，其中本征非晶硅薄膜是 HIT 电池表面的钝化层，沉积后需要掺杂膜层来形成发射极和背表面场。
TCO 薄膜沉积：常用的工艺是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)，沉积非晶硅薄膜后
产生等离子体的过程为反应提供所需的大量能量，从而显著降低沉积反应温度，使得 CVD 过程得以低温下实现，降低了能源消耗，有利于生产成本降低。薄膜光敏性高、隙态密度低、且没有尺寸限制是PECVD 方法
28欧元，高于2014年的8欧元。2020年，由于MSR，欧盟ETS抵御了Covid-19危机的供过于求。
通过国际比较，欧盟的发电排放强度明显低于其他大型经济体。2018年的碳强度为270克
的大规模投资机会，在氢电解槽中锂离子电池及相关基础设施。欧盟规则需要促进国家对公共和私人装修(例如，能源服务公司)，大型基础设施和技术替代的援助。
在实现净零的道路上扩大长期行动
在2030年至2050
，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其他CVD
。HWCVD 沉积基于热丝对反应气体的热分解，无等离子体对基底的轰击过程，有助于形成高质量、突 变明显的氢化非晶硅/晶体硅界面，HWCVD 能够形成高密度氢原子从而提升钝化效果。此外，HWCVD
为收集光生载流子并将其输送到金属电极上，导 电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用
目标，需要用溴代替碘。但是，过多的溴会使钙钛矿不稳定。
该领域的研究人员一直在探索所谓的二维(2-D)相的用途，其中将长链分子分隔的片状卤化铅八面体添加到钙钛矿中，用作钝化剂以减少化学反应性。钝化层
的使用在改善钙钛矿的稳定性和性能方面是有效的。
在对钝化层进行工程设计时，NREL的科学家及在韩国的同事专注于对二维添加剂的带负电离子(称为阴离子)进行工程设计，而不是其他人关注的带正电离子(阳离子
步工艺流程，但设备投资过高
◼ 电池生产所需材料昂贵
主流工艺流程
整线设备：(1)制绒清洗设备(2)板式等离子体增强化学气相沉积设备(3)反应式等离子体镀膜设备(4
)丝网印刷设备
捷佳伟创异质结电池全工序装备总结
制绒设备，在洁净度、能耗、智能制造等方面全面提升
PECVD反应腔无托盘设计，没有交叉污染问题进而提高Voc
RPD比SPT效率高
则选择的是反应等离子RPD 技术路线。RPD 和双面进行薄膜沉积的 PVD 技术路线相比，采用自下而上的单侧沉积技术，关键设备是等离子枪。 多厂商前期布局，量产转换效率突破
上成本最高的部分称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统用在硅异质结(SHJ)技术上成为可能，并且最近已经由Hevel LLC实现。
SHJ太阳能电池的简单结构，结合其高效率和低温处理的优势，使
调整a-Si:H膜性质来实现。实际上，a-Si:H层通常是采用PECVD方法在接近200℃温度下的纯硅烷或硅烷氢混合物中的平行板电容耦合等离子体放电进行生长的。表面钝化的最关键工艺参数似乎是氢硅烷气体
是在漂浮的等离子体中暂停反应，这样极端的热量就不会接触到腔室，研究人员认为这一过程可以通过使用高功率磁铁来实现。
大量报道认为，人类要用上核聚变能源，还需要30年时间，但麻省理工学院的一个研究小组
，获得了意大利能源巨头埃尼(Eni)的5000万美元投资。
中国在核聚变研究领域也已经处于世界前沿：
2018年，我国大科学装置人造太阳实现等离子体中心电子温度首次达到1亿度，获得的多项实验参数
