碳监测

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工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于
16 和 18PPMA;单晶硅3片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3。cm,碳、氧含量分别小于 10 和 18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于 16%和 17

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品 的要求; 2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
18PPMA;单晶硅 2 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10 和 18PPMA; 3.多晶硅电池和

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16 和18PPMA;单晶硅片少子寿命
大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10 和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5

工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA;单晶硅3 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10
》(GB/T12963)2 级品以上要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于 2.5s,电 阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA;单晶硅 片少子寿命大于 11s

光伏制造行业规范条件(深入解读)来源: 发布时间:2013-09-04 10:16:59

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.
)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换

工信部《光伏制造行业规范条件》延伸阅读来源: 发布时间:2013-09-04 09:44:37

要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA
单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的

光伏制造行业规范条件(延伸阅读)来源:中国能源报 发布时间:2013-09-03 23:59:59

要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA
单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的

点评:工信部《光伏制造行业规范条件》来源:Solarzoom 发布时间:2013-08-29 08:42:36

光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求; 2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别
小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%; 4.

工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-08-28 13:22:21

1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17
大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别

工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿全文)来源: 发布时间:2013-08-28 09:31:59

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.多晶硅电池
寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别