碳基

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商务部发布对美多晶硅企业“反补贴”税率(表)来源:商务部进出口公平贸易局 发布时间:2014-01-22 09:00:59

(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米
( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9 。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是

商务部关于多晶硅反倾销调查终裁的公告【全文】来源: 发布时间:2014-01-21 09:13:59

)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆.厘米(.cm);基硼电阻率2600欧姆.厘米(.cm);碳浓度

商务部发布对美、韩多晶硅企业反倾销税率(表)来源:商务部进出口公平贸易局 发布时间:2014-01-21 09:02:29

原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米
( cm);碳浓度1.01016(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度0.310-9;受主杂质浓度0.08310-9 。主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产

商务部关于美韩多晶硅反倾销调查终裁的公告来源:商务部进出口公平贸易局 发布时间:2014-01-21 07:28:06

晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆.厘米( . cm);基硼电阻率2600欧姆.厘米( .cm);碳浓度1.01016

商务部公告2014年第5号 关于对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅反倾销调查的最终裁定的公告来源:商务部 发布时间:2014-01-19 23:59:59

( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米( cm);碳浓度(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度;受主杂质浓度 。  主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产
调查产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅ink"光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。  被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米

商务部公告2014年第4号 关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查最终裁定的公告来源:商务部 发布时间:2014-01-19 23:59:59

( cm);基硼电阻率2600欧姆厘米( cm);碳浓度(at/cm3);n型少数载流子寿命500s;施主杂质浓度;受主杂质浓度。  主要用途:主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产,是生产晶体硅
产品的具体描述:以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的,用于生产晶体硅ink"光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。  被调查产品电学参数为:基磷电阻率300欧姆厘米

光伏与能源的三生之缘:碳回收系列来源: 发布时间:2014-01-17 10:43:59

新的作法是想办法利用储存下来的碳,去结合其他的领域来发挥碳的价值。  ▲在过去石油业者以二氧化碳灌入老油井中加压,让油井产量提升。碳是目前人类最主要的能源载体,人类大量使用燃料,都是来自于植物行

光伏过去、现在与未来:碳回收来源:集邦新能源网 发布时间:2014-01-17 09:31:56

的作法是想办法利用储存下来的碳,去结合其他的领域来发挥碳的价值。▲在过去石油业者以二氧化碳灌入老油井中加压,让油井产量提升。碳是目前人类最主要的能源载体,人类大量使用燃料,都是来自于植物行光合作用

变革者预言:35年后中国将脱离能源来源: 发布时间:2014-01-14 10:28:59

专访美国著名经济学家、《第三次工业革命》作者杰里米里夫金中国未来25年内可再生能源开发规模将引领世界从第二次工业革命进入第三次工业革命,未来35年后有望脱离能源。2014年开年,在关于第三次
垃圾发电等能源,随着成本的降低,中国未来25年内可再生能源开发规模将引领世界从第二次工业革命进入第三次工业革命,未来35年后有望脱离能源。可再生能源的转型、互联网通讯、储能技术、绿色建筑和物流交通

工信部第二、三批光伏准入名单有限 企业如何申报?来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2014-01-14 09:16:02

1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA; 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16
%和17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于