碲化镉(CdTe)
铜铟镓硒(CIGS)的温度系数仅为-0.1~0.3%，碲化镉(CdTe)温度系数约为-0.25%，均优于晶硅电池。 上图是模拟5-85℃下，同一块晶硅太阳能电池的的电流、电压、功率输出曲线(模拟
项目，最低资本金比例为20%。
现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基
》(2018版)：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。
变化七
《光伏制造行业规范条件》(2013版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。
《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10
%。
新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12
、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权
、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。
(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%，后续每年不高于0.7%，25年内不高于
、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和 16%；2、高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于 28% ；3、硅基、铜铟镓硒（ CIGS ）、碲化镉（ CdTe ）及其他薄膜电池
30%以上；3、3硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到 12%、13%、13%和 12%以上。另附普通光伏项目指标为：（根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》）1
%，项目投产运行之日起，一年内衰减率2%，之后年衰减率0.5%，项目全生命周期内衰减率10%；4、硅基薄膜电池组件光电转化效率8%，铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池组件光电转化效率11%，碲化镉（CdTe
（PCN），如单晶和多晶太阳能电池的PCN分别为C1和C2；单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2；非晶硅薄膜太阳电池组件（A-Si），碲化镉薄膜太阳能电池组件（CDTE），铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件（CIGS）PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。
多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于15.5%和16%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10
单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于18.5%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分 别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效 率
非晶硅(a-Si),碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒(CIGS)制造的薄膜晶体硅产品。被调查产品不包括输出电力不超过100W的组件、薄片或薄膜产品,以及,不包括集成到其他电力产品(该电力产品的功能不是生成
