碲化镉薄膜电池

《光伏制造行业规范条件》企业名单内。2.申请进入《北京市延庆区分布式光伏发电项目备选产品名录》的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%；硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%、3%和5%，之后每年衰减率不高于0.7%，25年内

组件光电转换效率不低于28%;（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别
率小于0.7%。2.光伏组件在低辐照（200W/m2）情况下折合成高辐照度（1000W/m2）效率不低于97%。3.高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；4.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉

%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；自项目投产运行

之日起，一年内衰减不高于2%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11

效率达到30% 以上; 4.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe) 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13% 和12% 以上。 (二) 逆变器指标： 1.逆变设备供应商
组件光电转换效率不低于28%; (三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%; (四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起

效率不低于28%；（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5
%。2.光伏组件在低辐照（200W/m2）情况下折合成高辐照度（1000W/m2）效率不低于97%。3.高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；4.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其

、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe) 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13% 和12% 以上。(二) 逆变器指标：1.逆变设备供应商应在国内具有自主研发、设计、生产、试验设备
聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年

以下指标：1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上；2、高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；3、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其
他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。另根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，普通光伏项目指标为：1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于

，领跑者先进技术产品应达到以下指标：1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上;2、高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上;3、硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。另根据《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，普通光伏项目指标为：1、多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的