市场的应用主流是晶硅组件,包含多晶和单晶。薄膜电池可弯曲性好、弱光发电能力较强,但相比较之下,晶硅组件性价比、能量密度更高及长期运行稳定性更好。所以,晶硅组件也成为本文的主要讨论对象。晶硅组件核心材料是
厂商把晶硅组件采用了类似碲化镉薄膜组件技术,把组件内部的电池片做成矩阵式结构,如图14所示。但是这种电池片矩阵式结构虽然消除了电池片级的木桶效应,但是并没有改变组件串联构成组串的悲催现实,这样光伏组串
。 薄膜组件有很多种,铜铟镓硒CIGS薄膜电池,效率达19.6%;碲化镉CdTe薄膜电池效率达16.7%,硅基薄膜电池的效率为10.1%,主要生产厂家的汉能,尚越,龙焱等。 2.2、扬水逆变器
约为9.3GW,产量约为4.4GW。从产品类型来看,2015年碲化镉薄膜电池的产量约为2.5GW,占比为56.8%;铜铟镓硒薄膜电池的产量约为1.3GW,占比为29.6%,硅基薄膜电池的产量约为
转化率和质量要求,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16%和16.8%;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%;含变压器型的
项目,最低资本金比例为20%。
现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求,其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高:多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。 《光伏制造行业规范条件》(2015版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
技术指标要求,其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10
能不低于200MWp、晶硅电池组件年产能不低于200MWp、薄膜电池组件年产能不低于50MWp、逆变器年产能不低于 200MWp(微型逆变器不低于10MWp)等条件。
现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列
、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权
组件年产能不低于200MWp;
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp;
8.逆变器年产能不低于200MWp(微型逆变器不低于10MWp)。
(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:
1.
效率应分别达到17%和17.8%以上,硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高,各类光伏电池组件的衰减率指标保持不变。 第五条 基地光伏电站首
,企业采用的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率应分别达到17%和17.8%以上,硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率原则上参照晶硅电池组件效率提高幅度相应提高,各类光伏电池