硅负极

索比光伏网讯:一、太阳能电池组件产品说明太阳电池组件是将单体太阳电池串、并联和严密封装制成的，这是因为：1、单体太阳电池由单晶硅和多晶硅材料制成的，其机械强度弱，不能承受较大力的撞击，薄而易碎。2
硅材料尺寸所限，输出功率小。因此常将单体太阳电池组合封装成可作为独立电源使用的组件。目前市场上的单体太阳电池：按规格分主要有103*103、125*125、150*150三种。按制造电池材料可分为单晶硅和

电子的定向填充空穴形成的。那么空穴移动和电子填充空穴又是怎么回事呢?先看看太阳能电池的制做材料单晶硅的内部结构。单晶硅内部的分子结构是四价电子结晶形态。硅原子靠这四价电子相互间形成强劲有力的离子键从而

：刚才陈先生讲的非常好，中国目前90%还是以化石为主的能源格局，目前我自己在做的还是以传统能源为主，但这两年我们对新能源推进的速度很快，特别是对光电，光电的核心是多晶硅，2006年最高峰的时候500美金一
一个圈闭和构造里头，它是负极的，所以找到常规油气，我们就说像是抱了大金娃娃，像大庆这样的，周围几百万平方公里的油气都往那里聚集而形成的，所以它是富矿，而页岩气相对于这种常规油气来说是贫矿，是单位体积

因素平衡的结果：一方面要有高的透过率;另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。对此，各光伏" title="光伏新闻专题"光伏生产厂家有许多不同的制作工艺。通常电池片正面(负极)的梳子状电极结构
中，一般有2条或3条主电极粗线，以便于连接条焊接，而背面往往以铝硅合金作为背表面场，以提高开路电压，背面(正极)也有2条或3条便于焊接的粗电极线，并往往还布满细细的网格状银线。图7.1为一片多晶硅

PECVD的主要性能指标(如表6.1)，PECVD设备的主要特点(如表6.2)，从表6.1和6.2可以看出，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5
%之内，同一批硅片间的误差在6%之内，不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低，成膜温度为150℃～500℃，恒温区温度均匀，误差范围在2℃之内，并且在整个成膜过程中随时间变化小，误差范围为2

组件的输出功率。图8电池性能分类（2）电池片焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，不正确的焊接工艺将会引起组件功率低下和逆电流增加。图9电池单焊（3）电池串焊接：依次将
成品测试三、晶体硅太阳电池组件原材料检验1电池片STC下的效率测试（细分）STC下的定电压电流分选非STC下的定电压电流分选依据并联电阻分选逆电流测试微裂纹检查光学色差分类机械性能的一直性（弯曲、厚度

光伏组件夹在中间，在长达20年的时间里，刮风下雨自不必说，哪怕下冰雹也没有问题。简单来说就是进行了真空包装。CIS薄膜类光伏电池与硅晶类不同，因为是化合物薄膜类，所以单个单元（电池）可以制成纤细的线状。这样
层的作用是防止正负极之间短路，是不导电的绝缘体。然后，机器人取出附着了缓冲层的面板，并将面板放回传送带。在这个阶段，表面完全没有色彩，呈现灰蒙蒙的色调，已经接近了CIS的颜色。基本上是深灰。负责给记者

表。 单晶硅和多晶硅光伏板最大电压修正系数 应用于光伏阵列保护的熔断体应符合以下要求： a.额定电压大于等于根据安装地点预期最低气温按光伏板制造商的说明或者上表来修正得出的最大电压
位置，如子阵列汇流箱等光伏汇流箱位置，且正负极位置都要安装，如下列光伏系统简图所示。熔断体的额定电流应在1.4-2.4ISCMOD的范围内，ISCMOD是指光伏板或光伏串在标准测试条件下的短路电流，是

发电效率发起挑战。面对中国光伏企业的崛起，日本要做的是脱硅日本之所以采取简直可称为全国总动员的体制来推进研究开发，是因为曾经独霸世界光伏电池市场的日本企业如今正逐步丧失影响力。如果按企业来看光伏电池
，必须做些什么呢？关键是要通过技术革新改变游戏规则。要通过降低生产成本、提高发电效率来拉开差距，则必须逐步向采用新的构造和原材料的新一代太阳能光伏电池转型。迄今太阳能光伏电池通常使用硅为原料，而现在日本产

、提高发电效率发起挑战。 　　面对中国企业的崛起，日本要做的是“脱硅” 　　日本之所以采取简直可称为“全国总动员”的体制来推进研究开发，是因为曾经独霸世界太阳能电池市场的日本企业如今正逐步丧失影响力
太阳能电池转型。迄今太阳能电池通常使用硅为原料，而现在日本产官学共同进行研发的是不使用硅的技术。 多彩并柔软可弯曲 　　目前在“脱硅”方面受到关注的技术大体可分为2种。1种是色素增感型太阳能电池