硅薄膜太阳能电池

索比光伏网讯:4月27日，从保定天威保变电气股份有限公司获悉，该公司下属子公司---天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太阳能电池组件（单片1.11.3米）的轻量化技术可保证硅薄膜组件在满足IEC标准
，一致认为聚合物背板太阳能电池组件的轻量化技术达到国际领先水平，同意通过成果鉴定。鉴定结果显示，在该项技术研发中，天威薄膜公司创造性地采用新工艺和新型安装方式，在满足IEC标准及不影响组件电学性能和可靠性

4月27日，从保定天威保变电气股份有限公司获悉，该公司下属子公司---天威薄膜公司自主研制的聚合物背板太阳能电池组件（单片1.11.3米）的轻量化技术可保证硅薄膜组件在满足IEC标准要求的前提下，将
背板太阳能电池组件的轻量化技术达到国际领先水平，同意通过成果鉴定。鉴定结果显示，在该项技术研发中，天威薄膜公司创造性地采用新工艺和新型安装方式，在满足IEC标准及不影响组件电学性能和可靠性能的前提下，将

自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉
，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为

的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在
转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为15%-17%，薄膜等新型电池转换效率约为6%-8%。我国太阳能热发电技术起步较晚，目前仍无

方便从实验室转换到生产线上。在HIT太阳能光伏电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接
取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。三、HIT光伏电池的市场展望目前，市面上的HIT太阳能光伏电池全部来源于松下下属的三洋公司。三洋的HIT太阳能光伏电池转换率最高为20.2%，该款太阳能电池的

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
电池产业化平均效率突破10%。(来源：南方都市报 南都网) 　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，“十一五”末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
%。 　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长

发展。预计2015年光伏电价有望降至0.15美元/kWh。《专项规划》还指出我国太阳能产业在硅材料、太阳能电池、生产装备、光伏系统、太阳能光热利用及太阳能测试平台方面与国外相比还有较大差距。并特别指出
自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%等。《专项规划》还对大规模并网电站、分布式发电、直流并网、太阳能热利用等方面提出了具体要求。为实现以上目标，《专项规划》明确了十二五期间光伏技术发展的

最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
达到了世界先进水平，光伏建筑一体化并网技术和弱光发电等技术也取得了重大突破。同时，与传统的晶体硅电池相比，薄膜太阳能电池由于具有原材料省、低能耗、无污染、低成本、便于大面积连续生产等显著的优势，在促成

产品廉价倾销。欧洲各国的效仿，对国内光伏企业的打击将更加沉重。我国太阳能产业起步虽晚，但发展迅猛。中国太阳能电池产量2004年仅占全球市场的5%;2007年产量跃居全球首位;2010年所占全球份额已经超过
氧化钛技术的薄膜太阳能电池。瑞士投资银行Sarasin在《太阳能产业激烈竞争下的适者生存》的太阳能产业可持续性研究报告中指出，薄膜太阳能行业的顶级公司将迅速扩张。在第一太阳能、夏普、昭和壳牌、通用电气和